半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定型二氧化硅是对还是错

对，二氧化硅膜silicon dioxide Film }i02一种无定形玻璃 状结构的电解质膜，为近程有序网状结构、禁带宽度8.1}}V- 密度2 . 2glcm3。介电系数3.9}折射率1.}iS一1.47。电阻率 llha一1U 5,17.-m:熔点170U}。采用在硅片上热氧化、阳极氧 化、化学气相沉积法制备，是半导体硅器件的优良的表面保护 膜和表f}l钝化膜。

以N型半导体为例（1）热电子发射理论：当n型阻挡层很薄，以至于电子平均自由程远大于势垒宽度时，电子在势垒区的碰撞可以忽略，因此，这时起决定作用的是势垒高度。半导体内部的电子只要有足够的能量越过势垒的顶点，就可以自由地通过阻挡层进入金属。同样，金属中能超越势垒顶的电子也都能到达半导体内。理论计算可以得出，这时的总电流密度Jst与外加电压无关，是一个更强烈地依赖于温度的函数。 （2）扩散理论：对于n型阻挡层，当势垒宽度比电子平均自由程大得多时，电子通过势垒区将发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。扩散理论正是适用于这样的厚阻挡层。此时，总电流密度JsD与外加电压有关。

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