为什么霍尔元件不用金属材料而是用半导体？

因为霍尔电压公式是E等于kBI/d，霍尔元件和等离子磁流体发电是一个原理的，其中公式的系数k1/n（n为导体单位横截面积的载流子数）说到这里就能看出当BI一定时不同材料的k与d不同时霍尔电压是不同的，当d做到很薄不能再薄（很厚）时只能通过改变k来提高（降低）霍尔电压，

而一般材料的K基本是固定的或随外界因素（温度）改变的，这就是系数变量，而半导体导电是因为能在硅储中掺杂的不同浓度的物质，

而这种掺杂使得半导体中的载流子浓度能受人为控制（也就是单位横截面积的载流子数能人为控制）从而改变了K，其实这公式些就跟人们发现的电阻率公式类似，起到了对电子元件的微型化的作用。

扩展资料：

霍尔元件应用霍尔效应的半导体。

所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。

当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。

由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。

利用这种方法可以构成霍尔功率传感器,如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。

参考资料：百度百科-霍尔元件

导体指数最小杯那是对店是一脚都捅过去了。半导体那肯定是。

因为霍尔系数近似与载流子浓度成反比，所以半导体的霍尔系数要大于导体的霍尔系数；而半导体的载流子浓度与温度的关系较大（特别是在较低温度或者较高温度时变化更大），因此半导体的霍尔系数受到温度的影响也较大。绝缘体没有霍尔效应。

扩展资料：

电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。除导体外，半导体也能产生霍尔效应，而且半导体的霍尔效应要强于导体。

当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。

参考资料来源：百度百科-霍尔系数

一般金属中载流子密度很大，所以金属材料的霍尔系数系数很小，霍尔效应不明显；而半导体中的载流子的密度比金属要小得多，所以半导体的霍尔系数系数比金属大得多，能产生较大的霍尔效应，故霍尔元件不用金属材料而是用半导体。

霍尔元件应用霍尔效应的半导体

所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。

当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。