从科技或是经济发展的角度来看,半导体非常重要。很多电子产品,如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。
硅基半导体自旋量子比特以其长量子退相干时间和高 *** 控保真度,以及与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性,成为量子计算研究的核心方向之一。
按异质结数目:单异质结晶体管(SHBT)---只有发射结为异质结的HBT 双异质结晶体管(DHBT)---发射结合集电结均为异质结的HBT 按发射结和基区结构: 突变发射结HBT缓变发射结HBT突发发射结缓变基区HBT缓变发射结缓变基区HBT2、工作原理 同质结双极管存在的主要问题:为提高电流增益,要求发射区重掺杂、基区轻掺杂,与为提高频率,又要求减小发射结电容、减少基区电阻而互相矛盾。为了解决该矛盾的根本途径是采用宽带隙半导体材料作成发射区,窄带隙材料作基区。由于降低了电子从发射区注入到基区的势垒,同时提高了空穴由基区向发射区反注入的势垒,提高了注入效率,进一步提高了电流增益,使器件在保持较高电流增益的条件下,提高晶体管的速度和工作频率。 3、特点 HBT与结构相近的同质结晶体管相比,具有以下特点:特征频率fT高;最高振荡频率fmax高;厄利(Early)电压较高(因基区掺杂浓度高,耗尽区不易在基区内扩展);基区穿通电压较高;当输出功率大导热差时,Ic-UCE特性常出现负阻效应。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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