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国产MOS管
多年来,新洁能始终专注MOSFET、IGBT领域,取得了不少突破:是同时拥有“沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅功率MOSFET ”及IGBT 四大产品平台的本土企业。在中高端功率器件领域,新洁能交出了不错的成绩单:2018年,新洁能位列中国功率半导体行业第六,这是新洁能连续第三个年头跻身全国前十功率半导体企业榜单。随着新洁能逐渐打开市场、提升品牌知名度,其产品亦从单一的MOSFET、IGBT芯片转为更具集成性的功率器件。
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研发技术
最后我们就来谈谈一个客户问的问题:哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌?国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生:英飞凌,安森美,仙童,东芝,ST意法半导体,NXP,AOS等等。说实话英飞凌MOS管这些都是庞然大物,以高功率MOSFET为例,英飞凌、安森美、意法半导体均已推出先进的屏蔽栅功率和超结功率MOSFET,而国内有能力量产的厂商寥寥无几,且可靠性与适用性离一流厂商仍有差距。
这些都是实际存在的问题,我们想要进步就不能一叶遮目,避而不谈,但是我们相信专注于一个领域不停进步,新洁能已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术,其部分产品的参数性能与送样表现,与英飞凌、安森美等国际品牌相当。新洁能踌躇满志,计划在未来三年内,进一步树立起中国半导体品牌形象。为此,公司拟筹资数亿,用于以下三方面建设:研发更高性能功率器件、建设半导体封装测试生产线与研发高性能原材料碳化硅。手捧功率半导体领域耀眼的两颗“明珠”——MOSFET、IGBT,新洁能期待成为中高端市场稀缺标杆,与英飞凌、安森美同台竞技。展望未来,新洁能还将致力于攻破更高精尖技术,打造出更好的产品,树立中国半导体品牌形象。南山电子期待与新洁能共同进步,一路同行。
建议选择单管IGBT,IGBT是第四代逆变技术。是在第三代MOS场效应管的基础上升级改进的。技术比MOS管成熟,焊机性能稳定。民用单管IGBT代表品牌 佳士品牌 佳士宝系列。
MOS场效应管代表品牌 瑞凌品牌 瑞凌系列。
重庆万国半导体更好。重庆万国半导体科技有限公司,是全球第一家集12英寸芯片制造及封装测试为一体的功率半导体企业,具全球最尖端的电源管理及功率器件的研发、设计、芯片制造、封装测试及销售一体化。它拥有自主的功率半导体设计、制造与应用等工艺技术100项专利,产品有效促进了重庆电子信息产业从笔电基地到“芯屏器核网”智能终端的全产业生态链布局。
重庆京东方光电科技有限公司,于2012年12月签约入驻重庆两江新区水土园区。2016-2018年,自投产以来累计完成产品和技术开发约500余项(含衍生品),申请专利近600件,贡献产值近500亿元。
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