mos详细解释:Metal - Oxide - Silicon,金属 - 氧化硅 - 硅。
金属氧化物半导体因其独特的理化性能在众多的气敏材料中脱颖而出,在气敏传感过程中展现了更加宽广的气体浓度检测范围、更低的检测极限以及在高温和恶劣环境中更好的稳定性等优势,从而受到广泛的运用和研究。
半导体性能金属氧化物:
金属氧化物,特别是具有半导体性能的金属氧化物是氧化-还原型反应的有效催化剂。工业催化剂通常含有一个以上的金属氧化物组分,称为复合金属氧化物催化剂。
一般而言,其中至少有一种是过渡金属氧化物,各组分之间形成分子级混合,发生相互作用,调 节催化剂的电性能和表面酸性,提高催化活 性和选择性。
金属氧化物的分解产物有两种情况:
分解生成金属单质和氧气 这类反应的总规律是金属越活泼,形成的氧化物越稳定,越难分解反之则易分解。受热能分解的只有不活泼金属形成的氧化物,如氧化汞、氧化银等还有部分金属氧化物熔融状态时通电分解。
mos管的作用:可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。
MOS管为压控元件,只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小,常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
MOS管的特性
开关特性。MOS管是压控器件,作为开关时,NMOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通,PMOS只要满足Vgs。
开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗,导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的,导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中,MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法,一是缩短开关时间,二是降低开关频率。
由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制,NMOS的使用场景要远比PMOS广泛,因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。
在宽电压的应用场景中,栅极的控制电压很多时候是不确定的,为了保证MOS管的安全工作,很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。
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