mos是半导体金属氧化物。
氧化物半导体具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体,是p型半导体。
电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体,是n型半导体;导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。
mos的特点
氧化物半导体材料的平衡组成因氧的压力改变而改变,氧原子浓度决定其导电的类型。由于金属和氧之间的负电性差别较大,化学键离子性成分较强,破坏这样一个离子键要比共价键容易,使它含有的点缺陷浓度较大,所以化学计量比偏离对材料的电学性质影响也大。
如化学计量比偏离缺氧时(或金属过剩时),则此氧化物半导体材料即呈现n型,此时氧空位或间隙金属离子形成施主能级而提供电子。
属于此类半导体材料的有ZnO、CdO、TiO2、Al2O3、SnO:等。例如:ZnO化学计量比偏离缺氧时:与上相反则呈p型半导体,此时金属空位将形成能级而提供空穴,属于此类半导体材料的有:C u2O、NiO 、CoO、FeO、Cr2O3。等。
在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素,下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、 半导体材料Te具有半导性;Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解,所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属,半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。这里的两性是指金属性和非金属性,即:分界线上的元素往往既能表现出一定的金属性,又能表现出一定的非金属性。
还有一种两性是指酸、碱性的两性,例如两性氧化物Al2O3、两性氢氧化物Al(OH)3。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)