什么是有源层？

半导体制造工艺进行扩散和注入,形成 IC 有源器件的部分.

这种结构由三层不同类型半导体材料构成,中间层通常为厚度为0.1～0.3μm的窄带隙P型半导体,称为有源层,作为工作介质,两侧分别为具有较宽带隙的N型和P型半导体,称为限制层.具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结.有源层与右侧的N层之间形成的是P--N异质结,而与左侧的P层之间形成的是P--P异质结,故这种结构又称N-P-P双异质结构,简称DH结构.

最初应用于有机薄膜晶体管半导体有源层的既是有机共辘高分子材料,如polyaeetylene(PA)、polythiophene及pozypyrroze等。为了增加聚合物的溶解性,以便于印刷、喷墨打印、旋涂等低成本制备工艺,常在高分子主链上加上取代基,如poly(3一alkyzthiophene)(PAT)或者利用可溶性的先驱物(preeursors)再聚合成高聚物材料,如polyaeetylene(PA)、p01yphenylenevinylene(即V)及polythienylenevinylene(PTv)。[1]目前,大量的共扼低聚物也被应用于OTTF的有源层,其中以唆酚(thiophene)的低聚物被研究的较多。从不含取代基的3T(terthiophene)到ST(octihtiophene),以及在p位置或在两端。位置含烷基链取代基的唆酚低聚物都曾被广泛研究过164一67],而以4T(q。aterthi。phene)和6T(seXithi。phene)以及它们Q、。二己基衍生物的表现较好,其结构如图1.5所示。但由于这一类低聚物的溶解度较差,因此在制备上一般采用真空蒸发方式来成膜。富含兀电子分子有机材料在近十几年来也被陆续应用于OTFT有源层,例如并五苯(pentaCene),酞首(phthal。Cyanine)系列金属配合物(如稀土类sCPeZ、LuPe:和TmPeZ,NIPc、znPc和euPc、F16MPc等),富勒烯e6o(fullereneee6o)以及TeNQ(tetraeyanoquinodimethane)等。

1、严格来讲，加电情况下有源层内发生受激辐射发光，出光则是在波导层范围内（即上下波导层再加上有源层）

2、光栅是被刻蚀在波导层范围内，当光在整个波导层传播时，会受到光栅的周期性势场的影响，产生相干，其选频原理与DBR中光栅原理相同。

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