前缀 生产厂家
AB乐德HFO公司
AD美国模拟器件公司
ADC 美国半导体公司
AM选进微型器件公司
AN日本松下电子工业株式公司
AY美国通用仪器公司
19A 上海无线电十九厂
BA日本东洋电具制作所
BG北京东光电工厂
BGD 北京市半导体器件研究所
BH北京半导体器件三厂
BJ北京电子管厂
BL北京半导体六厂
BW北京半导体器件五厂
CA美国无线电公司
CD无锡江南无线电厂
美国国家半导体公司
CF常州半导体厂
CH上海无线电十四厂
CL苏州半导体总厂
COP 美国无线电公司
cs美国齐端半导体器件公司
CX、CXA 日本索尼公司
D无锡江南无线电器材厂
甘肃泰安七四九厂
风光电工厂
天光集成电器厂
DCA 美国半导体公司
DG北京东光电工厂
DL大连仪表元件厂
DN日本松下电子工业株式公司
EA 日本电气(USA)公司电子陈列部
E、ER甘肃泰安天光电工厂
F甘肃泰安永红器材厂
美国仙童公司
FC上海八三三一厂
FD苏州半导体总厂
FG北京电子管厂
湖北襄樊仪表元件厂
FL贵州都匀风光电子厂
FS贵州都匀四四三三厂
上海无线电七厂
宜昌半导体厂
FY上海八三三一厂
G国际微电路公司
5G上海元件五厂
GD上海电器电子元件厂
HA日本日立株式会社
HD日本日立公司
HF杭州无线电元件二厂
HG华光电子电器厂
HM日本日立株式会社
HMI 哈里斯半导体公司
HN日本日立株式会社
ICL 美国英特锡尔公司
IX日本夏普股份公司
HXT日本日立株式会社
8JM 北京电子管厂
KC日本索尼股份公司
KD北京半导体器件五厂
L/LA/LB/LC/LE 日本三洋电机股份公司
LC/LG 美国通用仪器公司
LD陕西骊山微电子公司
LDD 上海半导体六厂
LF美国国家半导体公司
LH美国NSC
上海无线电十九厂
LJ陕西骊山微电子公司
LM/LP 美国国家半导体公司
M日本三菱电机株式会社
MA加拿大米特尔半导体公司
MB日本富士通有限公司
MC/MCM 美国奠托洛拉半导体公司
MD/MH 加拿大米特尔半导体公司
MK美国莫斯特卡公司
ML加拿大米特尔半导体公司
MLM 美国莫托洛拉半导体公司
MMS 美国奠托洛拉公司
MN日本松下电器公司
MP美国微功率系统公司
MSM日本冲电气公司
MT密特尔半导体公司
删S美国无线电公司
N美国西格尼蒂克公司
南京半导体器件总厂
NE荷兰飞利浦公司
英国麦拉迪公司
NJM/NLM 日本新日元
NT江苏南通晶体管厂
QS长春微电子工厂
RCA美国无线电公司
RSN美国德克萨斯仪器公司
S美国微系统公司
SAB/SAS 德国西门子公司
SB上海无线电十九厂
SBP美国德克萨斯仪器公司
SC上海无线电七厂
SD北京半导体器件二厂
SDA德国西门子公司
欧洲电子联盟
SF上海无线电七厂
SG长沙韶光电工厂
通用硅公司
SH美国仙童公司
SL上海半导体器件十六厂
普莱赛公司
SMC/SN/SNA/SNC/SNH/SNM 美国德克萨斯仪器公司
SP 英国普利斯半导体有限公司
STK 日本三洋电机株式会社
STS 上海无线电七厂、十九厂
SO 西德西门子公司
6S 北京电子管厂
TA 日本东芝电气株式会社
无锡七四二厂
TAA 欧洲联合共同体
（西门子/西格尼蒂克/史普拉格／德律风根／仙童／奠托洛拉等）
TB 天津半导体器件一厂
TBA 风光电工厂
欧洲共同体
贵州四四三三厂
法国汤姆逊公司
日本日立株式会社
TC 日本东芝浦电气股份公司
TCA 西德德德风根公司
TD/TM 日本东芝浦电气株式会社
TDA 荷兰飞利浦公司
英国麦拉迪公司
欧洲电子联盟
意大利亚帝斯电子元件公司
日本日立株式会社
日本电气公司
TMS/TL 美国德萨克斯仪器公司
TFK/U 西德德律风根公司
TPA 西德西门子公司
μA 美国仙童公司
μAA 西德西门子公司
μDA 欧洲电子联盟
μLS/μLX 美国史普拉格公司
μPA/μPC/μPD 日本电气公司
μPC 美国电子公司
UAA 西德西门子公司
UM 通用半导体公司
UL/ULA/ULN美国史普拉格公司
ULN 锦州七七七厂
X 电子工业部二十四研究所
南昌无线电二厂
7XF 陕西商县卫光电工厂
XFC 延河无线电厂
甘肃泰安永红电工厂
XG四川新光电工厂
湖南长沙绍光电工厂
XGF 八七九厂
XR 美国埃克亚集成系统公司
XW 无锡半导体总厂
YA 责州凯里永光电工厂
ZF 甘肃泰安永红电工厂
1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧
急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、
成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。
1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路）
，届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。
1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。
1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。
1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878
厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433
厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安
691厂等等。
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