用金属和半导体接触,什么条件下,可以出现类似pn结的整流作用?

在不考虑表面态的作用下，金属与n型半导体接触，金属的功函数大于半导体的功函数，形成阻挡层，即整流作用。金属与p型半导体接触，金属的功函数小于于半导体的功函数，形成阻挡层。

但在实际情况中，表面态不可忽略，会直接影响阻挡层和反阻挡层的形成。

1、导电机制。金属导体内部存在大量的可以自由移动的自由电子，这些自由电子在电场力的作用下定向移动而形成电流，使金属能够导电。

半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），使半导体导电。

2、金属具有良好的导电性,其电导率在10s/cm以上。半导体的电导介于金属和绝缘体之间。

扩展资料：

最早的金属导电理论是建立在经典理论基础上的特鲁德一洛伦兹理论。假定在金属中存在有自由电子，它们和理想气体分子一样，服从经典的玻耳兹曼统计，在平衡条件下，虽然它们在不停地运动，但平均速度为零。

有外电场存在时，电子沿电场力方向得到加速度a，从而产生定向运动，电子通过碰撞与组成晶格的离子实现能量交换，而失去定向运动，因此在一定电场强度下，有一平均漂移速度。

根据经典理论，金属中自由电子对热容量的贡献应与晶格振动的热容量可以相比拟，但是在实验上并没有观察到，这个矛盾在认识到金属中的电子应遵从量子的费米统计规律以后得到了解决。

正是为了解决这个矛盾，结合量子力学的发展，开始系统研究电子在晶体周期场中的运动，从而逐步建立了能带理论。

参考资料来源：百度百科-导电性

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