不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。
1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。
很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。
半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。
1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件”。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期742厂共投资2.7亿元（6600万美元），建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力，年产2648万块IC成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。到1984年达产，产量达到3000万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。 1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。
1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。 1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。 1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司――上海贝岭微电子制造有限公司。 1988年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司――上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进）。 1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。 1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。
1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。 1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司――首钢NEC电子有限公司。 1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。 1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。 1998年1月18日，“九0八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。 1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998年2月，韶光与群立在长沙签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路（LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。 1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998年3月16日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在北京长城-饭店举行北京华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。 1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998年6月，上海华虹NEC九0九二期工程启动。 1998年6月12日，深港超大规模集成电路项目一期工程――后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。 1998年10月，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投 片，-该生产线以双极工艺为主、兼顾Bi-CMOS工艺、2微米技术水平、年投5英寸硅片15万片、年产各类集成电路芯片1亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。 1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器（S－DRAM）。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。
利扬芯片称已完成全球首颗3nm芯片的测试开发
利扬芯片称已完成全球首颗3nm芯片的测试开发，官方表示，该公司自成立以来，一直专注于集成电路测试领域，并在该领域积累了多项自主的核心技术，利扬芯片称已完成全球首颗3nm芯片的测试开发。
利扬芯片称已完成全球首颗3nm芯片的测试开发1利扬芯片(688135)在互动平台称，公司3nm先进制程工艺的芯片测试方案调试成功，标志着已完成全球第一颗3nm芯片的测试开发，将向量产测试阶段有序推进。
近期，有媒体报道三星推出全球首款3nm芯片，该芯片系国内公司代工。7月7日，投资者在互动平台向利扬芯片提问，利扬芯片是否为三星的测试供应商。
利扬芯片回复，公司近几年不断加大在高端芯片领域的测试研发投入，尤其是公司的算力芯片测试技术针对先进制程的离散性难题提供全套测试解决方案，重点解决了功耗比、芯片内阻、大电流测试电路、测试温度控制等关键技术难点，前期已经在8nm和5nm芯片产品上为多家客户提供量产测试服务，目前3nm先进制程工艺的芯片测试方案已调试成功，标志着公司完成全球第一颗3nm芯片的测试开发，将向量产测试阶段有序推进。
集成电路产业链主要包含芯片设计、晶圆制造、晶圆测试、芯片封装、芯片成品测试等主要生产环节，其中，晶圆测试和芯片成品测试是利扬芯片在集成电路产业链中所处的环节。具体来说，利扬芯片主营业务包括集成电路测试方案开发、12英寸及8英寸晶圆测试服务、芯片成品测试服务以及与集成电路测试相关的配套服务。
利扬芯片在2020年度业绩说明会上汇报，以2020年为基准，制定3年翻番，5年10亿的营收规模的中长期发展目标。
2021年年报显示，公司2020年实现营收2.53亿元，2021年实现营收3.91亿元，同比增长54.73%。
与此同时，2021年及2022年第一季度的研发支出大幅增长，占营业收入分别为12.46%、16.40%。利扬芯片称，为满足市场需求及未来业务开展需要，公司持续增强研发投入，特别是中高端芯片测试方案研发。
利扬芯片称已完成全球首颗3nm芯片的测试开发2中国半导体企业利扬芯片今日在回复投资者提问时表示：目前 3nm 先进制程工艺的芯片测试方案已调试成功，标志着公司完成全球第一颗 3nm 芯片的测试开发，将向量产测试阶段有序推进。
Q：最近看到媒体报道三星推出全球首款 3 纳米的芯片，是为国内的矿机芯片设计公司代工的，贵司有机会成为他们的测试供应商吗？
A：公司近几年不断加大在高端芯片领域的测试研发投入，尤其是公司的算力芯片测试技术针对先进制程的离散性难题提供全套测试解决方案，重点解决了功耗比、芯片内阻、大电流测试电路、测试温度控制等关键技术难点，
前期已经在 8nm 和 5nm 芯片产品上为多家客户提供量产测试服务，目前 3nm 先进制程工艺的芯片测试方案已调试成功，标志着公司完成全球第一颗 3nm 芯片的测试开发，将向量产测试阶段有序推进。
三星电子 6 月 30 日宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片，是全球首家量产 3 纳米芯片的公司。与前几代使用 FinFET 的芯片不同，三星使用的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。
广东利扬芯片测试股份有限公司成立于 2010 年 2 月，自称是国内知名的独立第三方专业芯片测试技术服务商、国家级专精特新小巨人企业、高新技术企业，主营业务包括集成电路测试方案开发、12 英寸及 8 英寸等晶圆测试服务、芯片成品测试服务以及与集成电路测试相关的配套服务。
官方表示，该公司自成立以来，一直专注于集成电路测试领域，并在该领域积累了多项自主的核心技术，已累计研发 44 大类芯片测试解决方案，可适用于不同终端应用场景的测试需求，完成超过 4,300 种芯片型号的量产测试。
此外，该公司还为国内知名芯片设计公司提供中高端芯片独立第三方测试技术服务，产品主要应用于通讯、计算机、消费电子、汽车电子及工控等领域，工艺涵盖 8nm、16nm、28nm 等先进制程。
目前该公司还未公布第二季度财报，一季度营业收入同比增长 57.47%，若剔除实施股权激励的股份支付对净利润影响，归属于上市公司股东的净利润同比增长 14.69%。
截至 发稿，利扬芯片 A 股一度涨超 11%，目前已有部分回落，现报 32.58 元每股，市值 44.38 亿元。
利扬芯片称已完成全球首颗3nm芯片的测试开发3虽然在芯片代工、制造以及设计部分，我国本土的企业和海外的差距还是很大，也严重依赖海外相关的技术和设备，但是在芯片测试这部分，国内不少芯片公司都做得不错。
尽管中国台湾也有不少芯片测试公司，而且从规模和技术上都要强于国内企业，不过现在国内芯片和半导体的需求和发展都很快，考虑到芯片设计领域的技术保密性，国内越来越多的大型芯片设计公司逐渐将测试需求转向国内，并优先选择国内的测试公司。所以在这部分，国内芯片测试公司的前景是看好的。
近日国内芯片测试公司利扬官方宣布，公司完成全球第一颗3nm芯片测试开发。这也是全球首家正式宣布完全3nm芯片测试的企业，也算是给国内芯片测试行业打下了一剂强心针。
利扬公司实际上在过去已经在8nm和5nm芯片产品上为多家客户提供量产测试服务，这次3nm先进制程工艺的芯片测试方案成功，标志着利扬公司完成全球第一颗3nm芯片的测试开发，并向量产测试阶段有序推进。
广东利扬芯片测试股份有限公司成立于2010年2月，目前已于2020年11月11日在上海证券交易所科创板挂牌上市。这家公司在国内也算有代表性的芯片测试公司，尽管规模现在来看在国际上不算太大，不过国内多个芯片公司都是他们的合作伙伴，比较知名的有全志、智芯微、紫光等等。
之前利扬在受采访的时候也曾经介绍过，未来芯片测试产业在60亿美元至70亿美元之间，而利扬的愿望是未来做到全球最大的芯片测试基地。
当然利扬只是做芯片测试工作，而芯片的设计和制造，和利扬是没有关系的。现在的问题是，作为全球首个完成测试的3nm芯片，这颗芯片是哪家公司的，又是由哪家代工厂制造的……不过利扬并没有透露相关的信息。可以肯定的是，国内主流的.芯片公司暂时不会设计3nm的芯片，而能生产3nm芯片的公司，目前只有三星和台积电，且暂时无法产量。
其实如果仔细分析，我们大概能猜出这颗3nm芯片的用途以及设计公司。代工这颗3nm芯片反正不是三星就是台积电，而利扬的合作伙伴基本都是国内芯片公司，而国内芯片公司目前没有为手机、电脑设计芯片的能力，那么最大的可能就是矿机芯片。
因为国内设计的先进工艺芯片，只有矿机才会对先进工艺有极大的需求，毕竟矿机本身价格高昂，考虑到功耗发热等问题，先进工艺能为矿机公司以及用户带来更高的收益。
从利扬的合作伙伴来看，其中最大的合作伙伴之一就是深圳矿机生产公司比特微，比特微之前曾设计了28nm、16nm、7nm的矿机芯片，所以如果设计出3nm的矿机芯片，并且交由代工厂试产后测试，也是比较合理的猜测。
而且之前在三星宣布量产3nm芯片时，韩国的新闻渠道就曾表示三星3nm前期的客户可能只有中国的矿机公司……这样种种信息汇总起来，这颗全球首个完成3nm测试的芯片，很可能就是国内公司设计的3nm矿机芯片。
不管如何，利扬能成为首个测试3nm芯片的公司，本身也是一件值得关注的事情，不管这颗芯片到底是谁设计生产的，也不管芯片的用途是什么，这对于国内芯片测试行业来说，还是有着积极的意义。
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