耗时18个月，首个国产GPU芯片诞生，创始人曾是英伟达全球副总裁

俗话说，万事开头难。只有成功实现从0到1的巨大突破，才能为以后的演进发展奠定基础，尤其是对于技术封锁和难度最高的国内半导体芯片行业而言，要想实现这一步更难。

3月30日，摩尔线程正式发布MUSA统一系统架构及第一代全能GPU芯片“苏提”，并基于该架构和芯片打造出了面向桌面级PC、工作站的MTT S60图形显卡，和面向数据中心级的GPU显卡MTT S200，是真正意义上的首个国产全功能GPU芯片产品，实现了国内显卡领域的首次破冰。

摩尔MTT S60采用12nm工艺制程，包含2048个MUSA核心，内置现代图形渲染引擎、智能多媒体引擎、AI计算加速引擎、以及科学计算与物理仿真引擎，单精度算力可达6TFlops，搭配8GB LPDDR4X内存。

该显卡支持常见的DirectX、Vulkan、OpenGL、OpenGL ES等图像API接口，满足主流 游戏 、原生Andriod、三维渲染等应用图像性能需求，拥有三个DP1.4接口，支持H.264、H.265(HEVC)、AV1等视频编解码，可输出4K和8K画面，可在Windows系统下畅玩《英雄联盟》等。

创始人曾任NVIDIA中国区总经理，刚离职18个月

为什么摩尔线程会“异军突起”，能够实现首个国产全功能GPU的发布落地？这很显然与该公司的创始人团队有着密切关系。据了解，摩尔线程公司于2020年10月在北京创办，幕后掌舵人是张建中，他之前担任NVIDIA全球副总裁兼中国区总经理，离职后的第二个月便创办了摩尔线程，并在18个月后也就是今天发布了首款国产全功能GPU。

NVIDIA既是全球GPU图形处理器的发明者，也是全球人工智能计算的引领者，不论是在各个行业中还是每个普通消费者眼里，想必对它们家的显卡产品都非常熟悉。所以，作为真刀实q干过GPU研发设计的张建中团队，难怪可以在如此短时间内造出实质性产品。

图形IP源自PowerVR授权，后者曾是苹果A系芯片“御用”

芯片行业中的IP，一般被称为IP核，是指芯片中具有独立功能的电路模块的成熟设计，它可以被应用在包含该电路模块的多个芯片设计项目中，从而减少自主设计工作量，缩短芯片设计周期，提高芯片设计成功率。简单来说，在现代工业化芯片设计体系中，一个复杂芯片是由芯片设计者的自主设计电路和多个外购的IP设计共同组成。

据了解，摩尔全能GPU芯片“苏提”采用的是来自英国Imagination公司的图形IP，即PowerVR渲染方式。不过，该公司在2017年便被中国投资公司以5.5亿英镑全资收购。

PowerVR图形芯片曾被英特尔采用，后来更是成为苹果A系处理器的“御用”GPU架构设计，在经过长达数年的授权合作之后，苹果便一脚踢开IMG，顺利自研GPU，时至今日A系列芯片都拥有移动端最顶级的性能功耗表现。

因此，这也是摩尔“苏提”能够快速设计完成并达到当下市面上主流兼容性能水平的背后原因之一。当然，摩尔线程也只负责GPU的设计和研发，具体产品生产还要交给芯片代工厂来解决，与华为海思相同。

国内半导体芯片行业发展程度远远落后于世界，这几年随着外界封锁和数字革命风暴的加剧，国内正在该领域加大力度努力追赶，也希望可以有更多类似于摩尔线程的公司出现，持续实现芯片行业的突破和创新。

1.电子管

1.1电子管是一种在气密性封闭容器(一般为玻璃管)中产生电流传导,利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件｡早期应用于电视机､收音机扩音机等电子产品中,近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代,但目前在一些高保真音响器材中,仍然使用电子管作为音频功率放大器件｡由于电子管体积大､功耗大､发热厉害､电源利用效率低､结构脆弱而且需要高压电源的缺点,现在它的绝大部分用途已经基本被固体器件晶体管所取代｡但是电子管负载能力强,线性性能优于晶体管,在高频大功率领域的工作特性要比晶体管更好,所以仍然在一些地方继续发挥着不可替代的作用｡

1.2电子管实物图:

http://www.lonnet.com.cn/news/4/6/2007-1/6/071609014384284.jpg

2.晶体管包括二极管,三极管,晶闸管和场效应管等!

2.1二极管

2.1.1简介:几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛｡

2.1.2二极管的工作原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场｡当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态｡

当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流｡

当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0｡

当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象｡

2.1.3二极管的类型

二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)｡根据其不同用途,可分为检波二极管､整流二极管､稳压二极管､开关二极管等｡按照管芯结构,又可分为点接触型二极管､面接触型二极管及平面型二极管｡点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”｡由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等｡

面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中｡

平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关､脉冲及高频电路中｡

2.1.4二极管实物图:

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2.1.5发光二极管实物图:

http://img.cn.china.cn/image/10/17/48/24/48/1017482477_1_big.jpg

2.2三极管

2.2.1晶体三极管的结构和类型

晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件｡三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c｡

发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极｡基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外｡发射极箭头向外｡发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向｡硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型｡

2.2.2实物图有这么几种:

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2.3场效应管

2.3.1场效应管(英缩写FET)是电压控制器件,它有输入电压来控制输出电流的变化｡它具有输入阻抗高噪声低,动态范围大,温度系数低等优点,因而广泛应用于各种电子线路中｡

2.3.2场效应管的结构原理及特性

场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道｡结型场效应管(JFET):结构原理在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极,又在硅棒的两侧各做一个P区,形成两个PN结｡在P区引出电极并连接起来,称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管｡由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏､源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制元件｡

2.3.3场效应管的封装与三极管的一致,即外观一样,而型号不一样!

3.集成电路

3.1集成电路实质上就是一块电路,但是他是将大量的电子元件做在一片硅片上,然后封装起来,留出引脚,然后根据型号及功能的不同,内部电路也不一样,一般不探究其内部构造,而是知道某个引脚是什么功能,要外接什么元件,就可以了｡集成电路的功能可是非常得多,因为它本身就是电路,现在由于集成电路的出现,电子产品朝着微型化和微功耗化的方向发展｡

3.2集成电路的实物图:

http://img.china.alibaba.com/img/product/80/46/38/8046388.jpg

http://heyingworld.bokee.com/inc/%BC%AF%B3%C9%B5%E7%C2%B7-1.jpg

http://www.cg160.com/up/prod/20068/4/14/2006841453321062.jpg

http://china.globalhardwares.com/img/product/2005/4/12/1815317055.jpg

有的集成电路还和三极管封装一样!

手机ROM 是 ROM image（只读内存镜像）的简称，常用于手机定制系统玩家的圈子中。 一般手机刷机的过程，就是将只读内存镜像（ROM image）写入只读内存（ROM）的过程。

常见的 ROM image 有 img、zip 等格式，前者通常用 fastboot 程序通过数据线刷入（线刷），后者通常用 recovery 模式从 sd刷入（卡刷），故 img 镜像也被称为线刷包，zip 镜像也被称为卡刷包。

国内的定制系统开发者，经常会陷入自己的产品究竟是应该称为 OS还是 UI的争论，为了避免此类争论和表示谦虚，会自称为 ROM。很多定制系统玩家也会统一将定制系统称为 ROM。

手机ROM可存储资料、程序、文档的空间，如果有不足的，可通过SD卡，mmd卡等外置卡解决文档存量需求。 而手机RAM主要是指手机的内存，主要针对手机软件运行所需要的缓存堆栈，一般对手机的运行速度有直接的影响。

一个完整的ROM 根目录会有以下几个文件夹及文件： data、 META-IN、 system、 boot.img 四个文件夹。

扩展资料：

修改ROM，即刷机要注意的事项：

1、只要是和电脑有连接的机器就能自己刷（一般情况是这样，个别例外），一般情况下：不论是正常使用中还是白屏中。如果手机已经与电脑无连接反映（例如黑屏），那么自己就刷不好了。（可以卡刷的例外）

2、刷机时一定要确保手机电池电量足够本次刷机所需要的电量。（安全起见至少要在百分之五十左右）

3、刷前请仔细阅读刷机 *** 作说明

4、建议在自己手机原版的基础上刷串号不变的DIY版本（如果该版本会改变串号，一般人还是不要刷的好，否则出了这样那样的问题自己难以解决)

5、不是任何手机都可以刷机的。比如NOKIA刷机需要专用的刷机盒，所以不能自己刷机的。所以只能去客服和一些手机商去刷机

6、不是任何问题都可以通过刷机解决的。有些问题可能是硬件问题，所以不要太依赖刷机。

7、刷机最好在风险可控前提下刷机。DIY的版本都是基于原版的，只不过是将原来的图片替换成另外的图片，将原来的铃声替换成另外的铃声，没有动核心部分。只是替换更改了部分图片、铃声或者菜单字符等，所以不会有不良影响～只要做好自己手机软件的备份，按步骤 *** 作，刷机是基本上没有风险的（大不了再刷回备份）。

8、一般国产机是刷不了的，因为厂商已经把他们ROM限制了。

参考资料：百度百科-rom

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