具体参数为:Impulse Voltage 650V;Trigger Current 200mA。
SDI保护电路参数:
GDT: 2031-23T-SM-RPLF 、 TBU® High-Speed Protector:
TBU-CA065-100-WH 及 TVS Diode: CDSOD323-T05LC。将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybrid integrated circuit)是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
从1949年到1957年,维尔纳·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·达林顿(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都开发了原型,但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖,但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯,却早于1990年就过世。
因为是无字芯片。当芯片量足够大的时候,可以要求厂家提供无字芯片,stc100以上就可以购买到无字芯片,所以没有丝印。芯片在电子学中是一种将电路(主要包括半导体设备,也包括被动组件等)小型化的方式,并时常制造在半导体晶圆表面上。
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