半导体二次配管道之间间距

半导体二次配管道之间的间距取决于所使用的半导体材料的类型和尺寸。一般情况下，半导体二次配管道之间的间距应该大于或等于所使用的半导体材料的厚度。例如，如果使用的半导体材料厚度为0.5毫米，那么半导体二次配管道之间的间距应该大于或等于0.5毫米。

电缆结构上的所谓“屏蔽”，实质上是一种改善电场分布的措施。电缆导体由多根导线绞合而成，它与绝缘层之间易形成气隙，导体表面不光滑，会造成电场集中。在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这一层屏蔽为内屏蔽层；同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙，是引起局部放电的因素，故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的绝缘层有良好接触，与金属护套等电位，从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电，这一层屏蔽为外屏蔽层；没有金属护套的挤包绝缘电缆，除半导电屏蔽层外，还要增加用铜带或铜丝绕包的金属屏蔽层，这个金属屏蔽层的作用，在正常运行时通过电容电流；当系统发生短路时，作为短路电流的通道，同时也起到屏蔽电场的作用。可见，如果电缆中这层外半导体层和铜屏蔽不存在，三芯电缆中芯与芯之间发生绝缘击穿的可能性非常大。

MOS工艺中最小线宽又叫特征尺寸，在设计时，常指的是MOSFET的栅极的长度L，理论上来说，栅极的长度就是它所控制的沟道长度（即漏极与源极之间的距离），但实际上，由于在源极与漏极进行掺杂时存在横向扩散，所以L其实是导电沟道的长度，在标准MOS工艺中，往往栅极会把沟道整个盖住，所以栅长是比沟道长度稍大一些的。

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