光耦继电器电压超过额定值

光耦继电器是集光发射器件和光接收器件于一体的半导体继电器，是集交流和直流电于一体的。输入侧和输出侧是电绝缘的，但是信号可以通过光信号传输。光继电器具有无机械接触、寿命长、工作电流小、隔离电压高、开关速度快、泄漏电流低等优点，可应用于测量设备、通信设备、安防设备、医疗设备等。

1.安装区域小型化

我们有一系列的小包装产品，如so6和VSON包装产品。光继电器的更换可以极大地促进设备的小型化设计。

2.高可靠性（长寿命）

光继电器通过光电二极管阵列接收LED光并将其转换为MOSFET驱动电压工作。这种继电器没有机械触点，因此不会因机械继电器磨损而劣化（触点数量不限，免维护）。

3.低输入电流/低电压驱动

由于输入端使用的LED由电流驱动，输出端开启所需的输入电流（触发LED电流，IFT）仅为3到5mA（最大值），因此一个小电池甚至可以驱动光继电器。在设计if规范时，应考虑LED的使用寿命。

4.优良的开关特性（高速、低噪声）

由于光继电器在输入端使用LED，在输出端使用MOSFET，因此没有反电势或反d引起的噪声。它不会产生类似于机械继电器的接触声音。

5.热开关支架

机械继电器用于热开关时，寿命短。光继电器可用于热或冷开关的情况下，只要保持最大额定值。

对于机械继电器，由于热开关施加的电压，触点闭合时电流流动，触点容易磨损。另外，当开关处于关闭状态时，电流中断会产生电弧，因此使用寿命缩短。

光耦继电器选型指南及注意事项

1.最大电压和电流额定值

与机械继电器不同（超过最大额定值可能不会导致设备立即崩溃），当达到额定值极限时，光学继电器容易崩溃。设计时，请注意保持在规定的最大额定值范围内。

2.寿命（可靠性）

由于触点磨损，机械继电器具有规定的循环寿命。相反，光继电器不同于机械继电器，因为它是由相应的MOSFET开关的，所以没有机械接触，所以不需要维护。在规定的额定值内使用时，光继电器寿命长。

3.输出导通状态-导通电阻

虽然机械继电器几乎没有导通电阻，但光继电器的Ron产品范围从高到低。还存在Ron低于机械继电器的大电容光继电器。

4.输出关闭状态

①断开状态输出端电压

断开连接时，机械继电器完全隔离。另一方面，由于PN结的存在，光继电器并没有完全隔离。与机械式继电器相比，关断端电压较弱，建议在电路中增加保护二极管。

②关断状态电流（泄漏）

机械继电器的泄漏电流很小。在光继电器中，当电压施加到输出侧时，泄漏电流流动。

5.切换时间

与机械继电器不同，信号继电器需要几毫秒的时间。光继电器在运行过程中不会跳闸。

6.输入功耗

即使对于低功率信号继电器，机械继电器的功耗通常从100MW开始。对于光继电器，约3mA的触发电流可以使MOSFET工作。一般设置在5mA左右（小于10MW）即可。另外，IFT=0.2mA（最大）的产品可以进一步降低功耗。

7.驱动电流

机械继电器符合直流和交流规范。大多数光继电器用于直流驱动。

8.联系方式

机械继电器有一系列的接触形式（形式a，形式B，形式C）可供选择。光电继电器通常采用a型（有些产品支持B型）。

9.尺寸

小型机械信号继电器占地面积60mm2。光继电器的面积为2.9mm2（2.0mm2）×45mm），可获得可观的空间优势，使高密度应用成为可能。

先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。

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光耦

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光耦合器（opticalcoupler equipment，英文缩写为OCEP）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏...

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1、反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。

2、反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

3、正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。

4、正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。

5、反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。

6、输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

7、反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。

8、电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

9、脉冲上升时间tr,下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

10、传输延迟时间tPHL,tPLH：从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

11、入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。

12、入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

13、入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。

扩展资料

光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦。

工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout 大小只受Vcc大小影响。此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。

工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout= Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL，Vout 大小直接与Vin 成比例，一般用于反馈环路里面 (1.6V 是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同) 。

对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。

参考资料来源：百度百科-光耦

（先进光半导体）~（国产光耦替代）所有的光耦合器都由两个元素组成：一个光源-几乎总是一个发光二极管（LED）-和一个光电传感器-通常是一个光敏电阻，光电二极管，光电晶体管，可控硅（SCR）或双向可控硅。这些元件的两个CMOS光耦合器图像都由介电（不导电）势垒隔开。当输入电流施加到LED上时，它会打开并发出红外光。然后，光电传感器检测到该光，并使电流流过电路的输出侧。相反，当LED熄灭时，没有电流流过光电传感器。通过这种方法，两个流动电流被电隔离。

国产光耦继电器替代---先进光半导体

光耦合器类似于继电器和隔离变压器，并且通常执行相关功能，但是它们具有几个明显的区别和优点。光耦合器通常：

比继电器更小更轻

具有更快的切换功能

只需更少的开关电流即可激活

由于其固态结构，特别是与机电继电器相比，可提供最小的疲劳

由于上述原因，光耦合器在要求快速切换并利用低压传输的数字或微电子设备中非常常见。

以下视频介绍了光耦合器的基本结构，其主要用途以及与继电器的相似之处。

如下所述，光耦合器的类型取决于所用检测器的类型。某些类型具有不同的特性，因此更适合于特定应用。光耦合器通常以其“输出类型”来称呼；例如，一个光电晶体管设备可能被称为“具有光电晶体管输出的光耦合器”。

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