快捷半导体搬到哪里去了

快捷半导体（苏州）有限公司

中国新加坡苏州工业园区经营高性能功率产品的公司

美国仙童半导体公司（Fairchild Semiconductor, The Power Franchise）是全球首屈一指针对多元终端市场提供高性能功率产品的供应商。

公司名称

快捷半导体（苏州）有限公司

公司类型

有限责任公司

所属公司

美国仙童半导体公司

简称

快捷半导体

地址

中国新加坡苏州工业园区首期开发区内苏桐路1号

简介发展态势发展历史TA说

简介

美国仙童半导体公司（Fairchild Semiconductor, The Power Franchise）作为硅谷的创立者和世界上第一个晶体管与集成电路的发明者，是在 1957年是由著名的仙童仪器科学家Robert Noyce 和 Gordon Moore 创建的，著名的半导体公司Intel，AMD和National Semiconductor等就是从仙童半导体公司分离出来的。

该公司锐意开发尖端的产品，以配合今日以至未来的电子器件对功率的最小化、转换、分配和管理的需要。仙童的组件广为计算机、通信、消费、工业、自动汽车及航天等应用系统所采用。

发展态势

美国仙童半导体全球共有10,000 名员工，从事设计、制造和推广功率半导体、模拟及混合信号、接口、逻辑及光电子产品的工作。这些产品都是美国仙童半导体在美国缅因州南波特兰市、犹他州WestJordan、宾西法尼亚州 Mountaintop、韩国富州市及新加坡的晶元厂所制造。公司同时在菲律宾宿雾、马来西亚槟城及中国苏州设有组装及测试工厂。仙童半导体总部在南波特兰市，制造半导体的历史，是全球最悠久的。

发展历史

美国仙童半导体公司于2001年4月在苏州注册成立快捷半导体(苏州)有限公司　，简称“快捷半导体”，首次投资总额为1亿美金，2004年7月增资至10亿美金，员工人数已达千余人，未来3年将达到3500人。

快捷半导体公司坐落于中国苏州工业园区首期开发区内苏桐路1号，是集团1997年重组后首家兴建的工厂，2003年6月开始正式大规模投产。主要从事分立功率器件的封装和测试，产品类别达数千种，被广泛运用于微电子应用领域,包括汽车、通信、电脑、外围设备、工业及消费品应用。并于2004年9月建成国际一流的自动化仓库，将成为美国仙童半导体公司在亚太地区重要的仓储配送中心。

地址:苏州工业园区苏桐路1路

邮编:215021

电话:0512-67623311-86115

传真:0512-67621183

网址:www.fairchild.com

快捷半导体公司是目前世界上在高性能电源、接口、模拟与混合信号、逻辑线路光电子及可配置产品方面最主要的,集独立设计、制造和营销于一体的跨国公司之一。快捷的产品广泛运用于微电子应用领域,包括汽车、通信、电脑、外围设备、工业及消费品应用。快捷的总部设在美国缅因州南波特兰市,现于全球拥有9家厂房,5家位于亚太地区,包括中国苏州、菲律宾宿雾、马来西亚吉隆坡和槟城以及韩国釜川。 快捷半导体(苏州)有限公司成立于2002年2月,占地面积800,000平方英尺,是一家现代化的制造和仓储工厂,为多元化产品提供一流装配和测试。公司致力于创造良好的工作环境：宽敞明亮的厂房；整洁的车间；厂区内还建有一座园林式花园。公司有定期和不定期的员工海外培训的机会,为员工的发展提供广阔的平台。岗位名：OP (实际收入：1800~2500元/月)薪资待遇：此岗位底薪：960元/月； 全勤奖100元/月 ；免费提供工作餐；免费提供厂车；缴纳保险：五险 加1、身体健康(无色盲、色弱)、听力好。2、工作时间： 每周上四天休息三天 或上三天休息四天。3、月固定津贴220元(试用期过后1个月)4、绩效考评：200元/月。5、轮班津贴：白班10元/天,夜班18元/天。6、交纳园区公积金。7、享有公司年假福利。工作条件**：要求持有证书：高中/中专 ； 要求毕业专业名称：无 具体体检要求：视力0.8以上；身高：男165cm以上 女 152cm以上色弱和色盲： ** 其号他：两班制

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半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

扩展资料：

人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

参考资料来源：百度百科-半导体

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