莫特跃迁现象之谜，解密半导体纳米激光

莫特密度国际上规定半导体从绝缘体变成导体，光学增益第一次出现的点。莫特跃迁现象中实现莫特转换和密度所需的电力远远超过了未来高效计算机所需要的电力，所以这就需要一种新的低功耗纳米激光器来实现，如果没有研究团队研究这种新低功耗纳米激光器，那么将在未来一台超级计算机将需要一个小发电站来供应电力，所以电力功耗非常之巨大。 我们必须要研制出一种能够实现低功耗的机器，莫特跃迁以下的激子复合物就实现了光学增益，那么功率的输入将会显而易见的变低。强烈的电荷相互作用，使得其激子与三电子即使在室温下也非常的稳定，而如何实现光学增益来降低这种功率消耗？研究人员可以 探索 电子，空穴，激子和三电子的平衡，并且控制它们之间的相互转换，并且在非常低的密度水平就能够实现光学增益。而莫特跃迁现象刚好适用于光学增益，研究人员就可以利用莫特跃迁铅现象来实现低功率的二维半导体纳米激光器制造，由于不确定的纳米激光器的机制，所以在解决莫特跃迁现象仍有许多问题有待解决。在90年代外国人也做过类似的实验，但是激子和三电子非常的不稳定，在实验中无法观察到光学增益，所以就失败了。纳米激光器的制造有赖于这种新的光学增益机制，也就是这种莫特跃迁现象。该研究还停留在物理基础的工作当中，研究人员未来还有许多工作要做。在未来的 社会 当中，光学增益可能会被应用到新的纳米激光器，这样就能够改变超级计算和数据中心的未来。计算机的未来是将激光和电磁设备集结在一个单一的集成电路平台当中，即超级计算机。能够在一块芯片当中发挥巨大的作用，所以在未来将莫特跃迁现象应用到实际当中还有待突破。

热缺陷是由于晶体中的原子(或离子)的热运动而造成的缺陷,从几何图形上看是一种点缺陷,热缺陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有2种形态，一是肖脱基(Schotty)缺陷，2是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。

1)肖脱基缺陷

由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-离子空位。肖脱基缺陷实际产生过程是：由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位，然后，内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。

2）弗仑克尔缺陷

弗仑克尔缺陷形成过程为：一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系，若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷。如AgBr比NaCl易形成这种缺陷。

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