倍思氮化镓谁代工的

由惠州天宝电子代工。氮化镓号称第三代半导体核心材料。相对硅而言，氮化镓拥有更宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。如果氮化镓替换现在所有电子设备，可能会让电子产品的用电量再减少百分之10或者百分之25。

更轻，更快。根据查询相关资料显示，倍思氮化镓3代与5代区别是5代比3代重量更轻，充电速度更快，氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（directbandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。

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