为什么间接复合的少子寿命较长

间接复合的少子寿命较长是因为Si和Ge的载流子寿命比GaAs的长。少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。i和Ge是间接带隙半导体，主要是依靠复合中心的间接复合机理，则寿命决定于复合中心的浓度和性质，与禁带宽度基本上无关，所以间接复合的少子寿命较长。

理论寿命很长，5万个小时左右，实际由使用情况决定。

在不过流，不过压，冷热端(特别是热端)散热良好，不违规 *** 作(重压，摔打，工作过程中突然转换制冷制热模式等)的情况下，使用5万个小时是很容易达成。

半导体指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

这里要区分清楚两个问题：一是能带结构（直接带隙或者间接带隙），二是复合机理（直接复合或者间接复合）。GaAs是直接带隙半导体，复合机理主要是直接复合，则少数载流子寿命很短。直接复合的几率与禁带宽度有关，则禁带宽度越小的半导体，少数载流子寿命就越短。Si和Ge是间接带隙半导体，主要是依靠复合中心的间接复合机理，则寿命决定于复合中心的浓度和性质，与禁带宽度基本上无关。一般，间接复合的寿命都较长。所以，Si和Ge的载流子寿命比GaAs的长，虽然GaAs的禁带宽度较大。详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的“纠正误解[1]——微电子概念”

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