半导体制造工艺有哪些

半导体的范围广泛，应用从科研到民生，日新月异:

1.制造工艺需根据半导体设计的层层不同而不同，2.为避免复杂繁琐导致质量问题，制造工艺流程基本上分三个工程段落，

2.1.模组及应用设计工程，模拟数据

2.2.前工程

2.3.后工程封测

每个阶段都有上百到三百种以上的工艺，至少需要学习10-30年

主要是对硅晶片（Si

wafer）的一系列处理

1、清洗

->

2、在晶片上铺一层所需要的半导体

->

3、加上掩膜

->

4、把不要的部分腐蚀掉

->

5、清洗

重复2到5就可以得到所需要的芯片了

Cleaning

->

Deposition

->

Mask

Deposition

->

Etching

->

Cleaning

1、中的清洗过程中会用到硝酸，氢氟酸等酸，用于清洗有机物和无机物的污染

其中Deposition过程可能会用到多种器材，比如HELIOS等~

Mask

Deposition过程中需要很多器材，包括Spinner，Hot

plate，EVG等等~

根据材料不同或者需要的工艺精度不同，Etching也分很多器材，可以使用专门的液体做Wet

etch，或者用离子做Plasma

Etching等

最后一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆盖的掩模~

多数器材都是Oxford

Instruments出的

具体建议你去多看看相关的英文书，这里说不清楚。。

扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。1 扩散机构2 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 3． 填隙式扩散机构这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式在当今的亚微米工艺中，由于浅结、短沟的限制，硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用，但是退火仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质，减少缺陷，并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。4磷掺杂由于磷掺杂的控制精度较底，它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。但是在一些要求不高的工艺步骤仍然在使用。5多晶掺杂向多晶中掺入大量的杂质，使多晶具有金属导电特质，以形成MOS之“M”或作为电容器的一个极板或形成多晶电阻，之所以不用离子注入主要是出于经济的原因

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