国产新星半导体巨头崛起，实现弯道超车，长江存储实力究竟有多牛？

首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项专利申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时，接受国家财政援助，在武汉新新的基础上建立长江仓储。

其次是中国半导体产业发展迅速，芯片领域的各种技术、设备、材料遍地开花。许多企业进入半导体行业，为中国半导体行业的发展做出了贡献。科技部缩减人才数量，3000名半导体精英回国报效祖国。虽然中国对芯片的需求供不应求，这是中国半导体行业的一个显著问题，但随着中国研究人员对EUV的进一步研发，中国芯片最终将走向全球市场。

再者是长江存储做了一个疯狂的决定，跳过96层直接挑战128层，与东芝、三星等大厂角力，正式挑战市场。好在长江存储再次证明了国内R&D人员的决心，全球首款128层3D NAND闪存研发成功。国产闪存芯片凭借业内最大内存存储和最快传输速度的优势，也让不少国外科技公司惊叹不已。

要知道的是中国存储行业追赶速度更快，但中美关系持续恶化，层层制裁和人才短缺仍是制约中国发展的关键因素。评价一下长江存储的NAND芯片，用于国内销售的部分iPhone。美国商务部工业与安全局(BIS)宣布修改出口管理条例，旨在进一步阻止中国发展其存储芯片能力和相关军事能力。

武汉长江存储不是国企。

长江存储科技有限责任公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立。法定代表人赵伟国，公司经营范围包括半导体集成电路科技领域内的技术开发；集成电路及相关产品的设计等。

中国存储芯片产业以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。以三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国存储芯片生产元年。

2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座3D-NAND Flash厂房。

第一阶段的厂房已2017年9月完成建设，预计2018年第三季度开始搬入机台，第四季进行试产，初期投片量不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，并预计在自家的64层技术成熟后，再视情况拟定第二、第三期的生产计划。

2020年9月13日，中国安防半导体产业联盟成立大会在深圳举行。会上对长江存储等第一届成员进行授牌。