氢氟酸为什么不采购稀释好比例的啊？求解

成本问题吧，HF浓度最高好象40%吧

不是的,最高浓度是级别PPB

达到99%以上,

估计每道工序用到的HF的浓度可能不一样，所以统一采购高浓度的然后自己配，节约成本

市售浓HF一般为49%，通过自己兑入DIW稀释成自己所要的浓度，大大节约了成本！

HF酸有99%这么高的浓度吗？HCl酸最高也就37%了！

成本？运费？毕竟水很便宜

不意思,是我弄错了,是采购的49%浓度.

我们这采购的是森田化学的,

99%，吓我一跳！还以为我化学白学了呢，49%的氢氟酸我们使用的是苏州晶瑞的，江阴化学试剂厂的也有。

有的时候用BOE来替代稀释好的HF

HF的最大浓度为49％左右，超过了这个浓度，溶液会发烟雾的；

半导体中的HF主要用来作为刻蚀液，或与其他酸液配比成混合刻蚀液，均用的是49％HF；仅在少数需要用到BOE的工艺中，才将其稀释。

且HF酸的稀释，不似浓硫酸，也比较方便。

你们采购这些这么高浓度1、成本

2、使用化学品要通过监察部门批准，能浓度高点，少采购点是有好处的

3、高浓度的在工厂里可以任意调节浓度，你不可能只用一种浓度，如湿法硅腐蚀液，一半直接用高浓度＋HNO3，不添加水的！！！

新人学习中~~·

1. 要稀的就是花钱买纯水。而大部分工厂都自有纯水装置的，纯水质量也有保障。

2. 设备也是要投资的。要看规模效应够不够，投资是否有意义。

一般都是安装纯水设备生产纯水，然后自己稀释

成本控制一切。听运行人员说价格问题，而且不同比例的买起来也很不方便

在湿法腐蚀的过程中，通过使用特定的熔液与需要腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖区域的薄膜。 湿法腐蚀的优点是工艺简单，但是在湿法腐蚀中所进行的化学反应没有特定方向，所以会形成各向同性的腐蚀效果。各向同性是湿法腐蚀固有的特点，也可以说是湿法腐蚀的缺点。湿法腐蚀通常还会使位于光刻胶边缘下边的薄膜也被腐蚀，这也会使腐蚀后的线条宽度难以控制，选择合适的腐蚀速度，可以减小对光刻胶边缘下边薄膜的腐蚀。 在进行湿法腐蚀的过程中，熔液里的反应剂与被腐蚀薄膜的表面分子发生化学反应，生成各种反应产物。这些反应产物应该是气体，或者是能溶于腐蚀液中的物质。这样，这些反应产物就不会再沉积到被腐蚀的薄膜上。控制湿法腐蚀的主要参数包括：腐蚀溶液的浓度、腐蚀的时间、反应温度以及溶液的搅拌方式等。由于湿法腐蚀是通过化学反应实现的，所以腐蚀液的浓度越高，或者反应温度越高，薄膜被腐蚀的速率也就越快。此外，湿法腐蚀跌反应通常会伴有放热和放气。反应放热会造成局部反应温度的升高，使反应速度加快；反应速率加快又会加剧反应放热，使腐蚀反应处于不受控制的恶性循环中，其结果将导致腐蚀的图形不能满足要求。反应放气产生的气泡会隔绝局部的薄膜与腐蚀的接触，造成局部的反应停止，形成局部的缺陷。因此，在湿法腐蚀中需要进行搅拌。此外，适当的搅拌（例如使用超声波震荡），还可以在一定程度上减轻对光刻胶下方薄膜的腐蚀。 目前常用的湿法腐蚀的材料包括：Si，SiO2和Si2N4等，下面我们将对此进行简要讨论。 一、Si的湿法腐蚀 在湿法腐蚀Si的各种方法中，大多数都是采用强氧化剂对Si进行氧化，然后利用HF酸与SiO2反应来去除SiO2，从而达到对硅的腐蚀目的。最常用的腐蚀溶剂是硝酸与氢氟酸和水（或醋酸）的混合液，化学反应方程式为 Si+HNO3+6HF——H2SiF4+HNO2+H2O+H2 其中，反应生成的H2SiF4可溶于水。在腐蚀液中，水是作为稀释剂，但最好用醋酸（CH3COOH），因为醋酸可以抑制硝酸的分解，从而使硝酸的浓度维持在较高的水平。对于HF-HNO3混合的腐蚀液，当HF的浓度高而HNO3的浓度低时，Si膜腐蚀的速率由HNO3浓度决定（即Si的腐蚀速率基本上与HF浓度无关），因为这时有足量的HF去溶解反应中生成的SiO2.当HF的浓度低而HNO3浓度高时，Si腐蚀的速率取决于HF的浓度（即取决于HF溶解反应生成的SiO2的能力）。 对Si的湿法腐蚀还可以用KOH的水溶液与异丙醇（IPA）相混合来进行。对于金刚石或闪锌矿结构，（111）面的原子比（100）面排的更密，因而（111）面的腐蚀速度应该比（100）面的腐蚀速率小。 采用SiO2层作为掩膜对（100）晶向的硅表面进行腐蚀，可以得到V形的沟槽结构。如果SiO2上的图形窗口足够大，或者腐蚀的时间比较短，可以形成U形的沟槽。如果被腐蚀的是（110）晶向的硅片，则会形成基本为直壁的沟槽，沟槽的侧壁为（111）面。这样就可以利用腐蚀速率对晶体取向的依赖关系制得尺寸为亚微米的器件结构。不过，这种湿法腐蚀的方法大多采用在微机械元件的制造上，在传统的集成电路工艺中并不多见。 二、SiO2的湿法腐蚀 SiO2的湿法腐蚀可以使用氢氟酸（HF）作为腐蚀剂，其反应方程式为： SiO2+6HF——SiF4+2H2O+H2 在上述的反应过程中，HF不断被消耗，因此反应速率随时间的增加而降低。为了避免这种现象的发生，通常在腐蚀液中加入一定的氟化氨作为缓冲剂（形成的腐蚀液称为BHF）。氟化氨分解反应产生HF，从而维持HF的浓度。NH4F分解反应方程式为 NH4F——NH3+HF 分解反应产生的NH3以气态被排除掉。 在集成电路工艺中，除了需要对热氧化和CVD等方式得到的SiO2进行腐蚀外，还需要对磷硅玻璃（简称PSG）和硼磷硅玻璃（简称BPSG）等进行腐蚀。因为这些二氧化硅层的组成成分并不完全相同，所以HF对这些SiO2的腐蚀速率也就不完全一样。基本上以热氧化方式生成的二氧化硅层的腐蚀速率最慢。 三、Si3N4的湿法腐蚀 Si3N4也是一种常用湿法腐蚀的材料。Si3N4可以使用加热的磷酸（130-150度的H3PO4）来进行腐蚀。磷酸对Si3N4的腐蚀速率通常大于对SiO2的腐蚀速率。

Q: 半导体中乙醇酸和氢氟酸混合作用 :

乙醇酸和氢氟酸混合可以用来清洗半导体表面。当这两种酸混合在一起时，它们会发生反应，产生氟化物，并形成一层薄膜，从而起到清洁的作用。乙醇酸有助于去除污垢，氢氟酸可以去除金属的氧化物。此外，乙醇酸也可以帮助去除金属的氧化物，使金属表面光滑。因此，乙醇酸和氢氟酸混合可以有效地清洁半导体表面，从而使半导体元件具有良好的性能。

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