CMP为何周边速率快

因为化学反应增强了。

加速质量传输是CMP获得完美表面的关键，化学反应是CMP过程的控制因素，增强化学反应可提高CMP速率。

CMP技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。

半导体CMP（化学机械抛光）材料是集成电路制造关键制程材料，制造每片晶圆片，都需历经几道至几十道不等的CMP工艺步骤。CMP材料价值量约占芯片制造成本的7%，其中抛光垫价值量约占CMP耗材的33%。CMP抛光垫具有较高行业壁垒，目前被陶氏、Cabot等海外公司垄断约90%市场

现在缩写词汇急剧增多,很多缩写都有很多完全不同的意思,CMP也不例外.计算机:Chip multiprocessors,单芯片多处理器,也指多核心电子:Chemical Mechanical Planarization,化学机械平坦化综合布线：Plenum Cable，天花板隔层电缆计算机:CMP是由美国斯坦福大学提出的，其思想是将大规模并行处理器中的SMP（对称多处理器）集成到同一芯片内，各个处理器并行执行不同的进程。与CMP比较， SMT处理器结构的灵活性比较突出。但是，当半导体工艺进入0.18微米以后，线延时已经超过了门延迟，要求微处理器的设计通过划分许多规模更小、局部性更好的基本单元结构来进行。相比之下，由于CMP结构已经被划分成多个处理器核来设计，每个核都比较简单，有利于优化设计，因此更有发展前途。目前，IBM 的Power 4芯片和Sun的 MAJC5200芯片都采用了CMP结构。多核处理器可以在处理器内部共享缓存，提高缓存利用率，同时简化多处理器系统设计的复杂度。电子:化学机械平坦化是半导体工艺的一个步骤，该技术于90年代前期开始被引入半导体硅晶片工序，从氧化膜等层间绝缘膜开始，推广到聚合硅电极、导通用的钨插塞（W-Plug）、STI（元件分离），而在与器件的高性能画同时引进的铜布线工艺技术方面，现在已经成为关键技术之一。虽然目前有多种平坦化技术，同时很多更为先进的平坦化技术也在研究当中崭露头角，但是化学机械抛光已经被证明是目前最佳也是唯一能够实现全局平坦化的技术。进入深亚微米以后，摆在CMP面前的代表性课题之一就是对于低介电常数材料的全局平坦化。

---