2023年半导体市场的走势如何？

MIC 产业分析师预期 2023 年半导体市场的成长会大幅趋缓，甚至可能与 2022 年持平。

目前半导体产业受到终端市场影响，终端厂商及芯片供应商的库存水位持续升高，供应链已经提前开始库存去化，如果市况没有改善，2022 下半年半导体各产业将会面临不同程度的冲击。不过相较全球半导体成长放缓，中国台湾的半导体产业受到稳定的 IC 封测与 IC 制造营收支撑，整体成长将优于全球。

即便 2023 年全球半导体产业的成长可能大幅趋缓，但是先进封装的需求将持续上升，全球封测产业市场规模也将持续成长。其中，全球前十大半导体专业封测代工（OSAT）厂商中，有 6 家为中国台湾厂商、3 家为中国大陆厂商，反映出中国台湾与中国大陆在全球封测产业之地位。而除了 OSAT 厂商外，晶圆制造大厂如台积电（TSMC)、三星（Samsung)、英特尔（Intel）亦积极布局先进封装技术，加大先进封装资本支出。

半导体发展趋缓

全球半导体市场持续向上成长，但是预期 2023 年市场成长可能趋缓（图 1)。资策会 MIC 产业分析师杨可歆指出，2021 年半导体产业欣欣向荣，因为各应用领域的芯片需求大幅增加，供应链上游到下游都出现供货紧缺的现象。半导体供不应求的情况，带动出货量与价格成长，市场规模与厂商营收也都向上成长。因此，2021 年全球半导体市场的年复合成长率是 26.2%，产值达到 5559 亿美元。

2022 年初，半导体产业在高基期的基础上预测全年发展，预估 2022 年全球半导体市场将有 10% 以上的成长。但是随着 2022 年第一季度乌克兰问题爆发，以及三月开始中国因为新冠疫情封城，全球的消费性市场受到冲击。加上疫情红利逐渐退去，远程工作设备的需求消失，以及通货膨胀影响消费意愿等问题，连带影响 2022 年全球半导体市场的成长幅度。因此，2022 年的半导体市场 YoY 预估从 10% 下修到 8.9%。而年成长预期虽然下调，2022 年全球半导体市场因 2021 年的需求动能延续，且 2022 上半年各领域的需求有所支撑，仍维持正成长，预期 2022 年全球半导体的产值可达到 6056 亿美元。

针对 2023 年的半导体产业预估并不乐观，因为战争及通货膨胀等外部环境负面因素尚未排除，加上消费市场买气不佳，拉货力道疲软。尤其供应链从终端、系统厂到半导体芯片产销、供应等厂商，目前都面临库存水位过高的问题。在市况不明朗及库存水位过高的情况下，预期 2023 年半导体市场的成长会大幅趋缓，甚至可能与 2022 年持平。

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。

定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。

其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。

2021年，第三代半导体产能建设项目如火如荼开展，据CASA不完全统计，2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项，披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模超70亿元

2017-2021年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元，同比增长51.9%，第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%，较2020年提高了0.7个百分点。

目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场，占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。

2021年，我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元，同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。

更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

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