霍尔效应在半导体中特别显著原因是因为半导体的什么？

霍尔效应在半导体中特别显著原因是因为半导体的霍尔系数系数比金属大得多，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，所以采用半导体材料作霍尔元件灵敏度较高。

一个与x轴平行放置的p型半导体，添加x正方向的电场与z正方向的磁场。则可理解为多子向x正方向移动，可判断在磁场作用下空穴向y轴负方向移动，形成由y轴负方向到y轴正方向的电场，达到平衡时霍尔电势差为由y轴负方向到正方向。

可是如果是n型半导体，多子为电子，在x正方向电场作用下向x轴负方向移动，在磁场作用下向y轴负方向移动，因此形成了由y轴正方向到负方向的霍尔电势差。

因此，霍尔效应可用于判断半导体类型。

扩展资料

霍尔效应在应用技术中特别重要。霍尔发现，如果对位于磁场(B)中的导体(d)施加一个电流(Iv)，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(UH)，人们将这个电压叫做霍尔电压。

好比一条路， 本来大家是均匀的分布在路面上, 往前移动。当有磁场时， 大家可能会被推到靠路的右边行走。故路 (导体) 的两侧，就会产生电压差。这个就叫“霍尔效应”。根据霍尔效应做成的霍尔器件，就是以磁场为工作媒体，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能。

在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器、各种开关，等等。

1、导电机制。金属导体内部存在大量的可以自由移动的自由电子，这些自由电子在电场力的作用下定向移动而形成电流，使金属能够导电。

半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），使半导体导电。

2、金属具有良好的导电性,其电导率在10s/cm以上。半导体的电导介于金属和绝缘体之间。

扩展资料：

最早的金属导电理论是建立在经典理论基础上的特鲁德一洛伦兹理论。假定在金属中存在有自由电子，它们和理想气体分子一样，服从经典的玻耳兹曼统计，在平衡条件下，虽然它们在不停地运动，但平均速度为零。

有外电场存在时，电子沿电场力方向得到加速度a，从而产生定向运动，电子通过碰撞与组成晶格的离子实现能量交换，而失去定向运动，因此在一定电场强度下，有一平均漂移速度。

根据经典理论，金属中自由电子对热容量的贡献应与晶格振动的热容量可以相比拟，但是在实验上并没有观察到，这个矛盾在认识到金属中的电子应遵从量子的费米统计规律以后得到了解决。

正是为了解决这个矛盾，结合量子力学的发展，开始系统研究电子在晶体周期场中的运动，从而逐步建立了能带理论。

参考资料来源：百度百科-导电性