一、如果是0.5毫米以上的可以通过电阻加热的方式焊接成型，焊接材料需要选用威欧丁303B的焊丝焊接。
焊接工具：用碳阻焊的焊接方式，用两个电极点焊。
焊接方法：
1）处理表面的铝带及钢壳的表面油污及氧化皮。
2）将威欧丁303B的低温焊丝敲扁以后，然后放到铝带和钢壳之间。
3）用电阻放置于夹有扁303B焊丝的焊接处，通电点焊成型。
4）在高温持续加热的前提下，303B的焊丝熔化成型粘合铝带及钢壳。
焊接注意方法：
1、电阻焊的电流输出一定得够，不然母体达不到温度的话，焊丝是不会进行粘合的。
2、表面的氧化膜一定要处理干净，这样铝带才容易粘合，不然铝表面的氧化膜会阻碍焊丝粘合铝带。
一、如果是0.5毫米一下的铝薄的话，需要用低温179度的WEWELDING M51的焊丝焊接，这个时候需要用电烙铁焊接，配合51-F的助焊剂焊接。
焊接工具：65W及以上功率电烙铁。
焊接方法：
1）处理表面的铝带及钢壳的表面油污及氧化皮。
2）用电烙铁放置于铝带和钢壳部位做预热处理。
3）然后用焊丝沾助焊剂涂于焊接部位，同时用烙铁辅助沾有焊剂的焊丝熔化成型。
4）用温水清理表面残留。
焊接注意方法：
1、铝和钢壳表面的氧化皮一定要处理干净。
2、两个金属的焊接处的温度一定得够，而不是说烙铁温度够就行，只有焊接部位的母体温度达到焊丝的工作熔点温度，焊接才容易实现。
3、当焊剂烧损成黑色可以持续补充一些助焊剂。
焊接铝带如果用氩弧焊焊接的话，采用高纯氩气最好，5个9的纯度。如果是用气焊的话，可以用单独烧液化气的液化气喷q焊接，那么烧的气体就是液化气了，不过这个时候需要用低温的焊丝焊接，比如WEWELDING M51的焊丝配合WEWELDING M51-F的焊剂焊接。
IGBT芯片技术发展
从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了7代升级，从平面穿通型(PT)到沟槽型电场-截止型(FS-Trench)，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。IGBT技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性。
不同代际IGBT芯片产品对比
随着技术的升级，IGBT芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，断态电压由第一代的600V升至第七代7000V。
不同代际的IGBT芯片产品应用情况也有所不同：
中国IGBT芯片企业技术布局
中国IGBT产品与国际巨头英飞凌、三菱电机等差距在10年以上，步入第5代后，预计差距将缩短为10年，第6/7代产品差距将在5年以内。从中国IGBT芯片行业代表性企业从技术格局来看，斯达半导应用第七代IGBT技术，电压覆盖范围为100-3300V华微电子布局第六代IGBT技术，电压覆盖范围为360-1350V士兰微、时代电气、宏微科技应用第五代IGBT技术新洁能主要应用第四代IGBT技术。
IGBT芯片行业科研投入水平
以宏微科技、斯达半导、士兰微、时代电气为主要代表企业分析，2018-2021年，我国IGBT芯片行业研发费用从0.1元到19亿元不等，研发费用占营业收入比重整体不超过15%。其中，时代电气在科研投入规模和占比均位于行业前列，2021年，公司研发投入为17.85亿元，占收入比重的11.81%。
IGBT芯片技术“门槛”高，不仅涉及设计、制造、封装三个高精尖技术领域，而且难度大、周期长、投入高。高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。我国要想实现IGBT芯片的技术突破，企业需要持续增加研发投入，减少与国际头部厂商IGBT芯片的代际差异。
中国IGBT芯片行业技术趋势
从行业整体发展规律而言，IGBT发展趋势主要是降低损耗和降低成本。
从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：
1)IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型
2)IGBT棚极结构：平面棚机构、Trench沟槽型结构
3)硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶。
以上数据来源于前瞻产业研究院《中国IGBT芯片行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
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