超级独角兽Airbnb是怎样多次度过危机的 折叠屏手机国际展争奇斗艳

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超级独角兽Airbnb是怎样一次又一次度过危机的

从白手起家到缔造商业帝国，可以说切斯基是旅宿行业的拓荒者，他创建的Airbnb也是在线短租的鼻祖。就像许多成功的创业者那样，切斯基的经历也极具传奇色彩。

切斯基说，旅行是他“成长过程中最美好的记忆”之一，而如何在旅行中有一个美好的住宿体验，成为了他在旅行中的最大发现，“那是我意识到有更大世界的时刻。”

切斯基是幸运的，他在很小的时候就找到了自己的兴趣和天赋。长大后，切斯基在罗德岛设计学院主修工业设计，也是在这里，他遇到了他人生中最重要的伙伴之一——他的好友兼大学室友乔·格比亚（Joe Gebbia），也是日后Airbnb的联合创始人。

“我为什么要为设计师制作产品？我有这么多点子，我只需要抓住一个机会。”切斯基的商业认知在此刻彻底觉醒。

2008年，一个名叫内森·布莱查奇克（Nathan Blecharczyk）的年轻人加入了切斯基和格比亚的团队。布莱查奇克刚刚从哈佛大学的计算机科学系毕业，负责公司的技术支持，格比亚负责网站设计，切斯基出任CEO。

三个20多岁的年轻人就这样开始了创业之路。那一年，三人组正式推出了Airbnb业务，他们的口号是“预订民宿，而非酒店”。

三人埋头苦干，Airbedandbreakfast.com终于上线。一个初创企业活下来的必要条件，就是拥有充裕的资金支持。他们的朋友一直在帮忙寻找投资者，但找到的7个投资者中，有两名从未回复，另外五名则发送了拒绝邮件。公司难以为继，甚至有一段时间需要靠卖麦片来维持运转。

幸运的是，切斯基三人凭借坚定的信念感动了知名的Y Combinator创业孵化器的创始人，由此获得了2万美元的支持。2009年，红杉领导了一轮60万美元的种子投资。之后不久，公司也正式更名为Airbnb。在红杉的助力下，Airbnb针对这场地域竞赛专门优化了用户体验，提高运营效率。

在成功保住欧洲市场后，切斯基有感而发地说，如果年轻的创业者是条船，投资者就是浪潮，很多时候他们可以引导你朝着正确的方向前进。

这些早期的“生存挑战”，让Airbnb变得强大。2020年3月，Airbnb正朝着计划中的首次公开募股（IPO）迈进，估值大约在300亿美元左右。但是，突然发生的新冠肺炎疫情让人猝不及防——在短短八周的时间里，Airbnb的收入暴跌了80%以上。

切斯基在一档节目的采访中谈道：“那可能是我人生中最困难的一天。”形势逼迫下，Airbnb不得不进行了一轮人员优化，新闻媒体也开始大肆报道一代 旅游 业霸主的衰落。

切斯基开始思考他们是如何发展到今天的，思考他和两位创始人的商业模式为什么获得成功。在Airbnb13年的运营中，他们已经建立了一个由400多万名房东组成的网络，这些房东总计在220个国家和地区接待了超过10亿名客人。尽管规模越来越大，但Airbnb的精神不仅与“气垫床和早餐”时期保持一致，希望人们在任何地方都能有归属感，它还依附于切斯基童年时期对城市重新建构的快乐，解锁了那些他心中所期待的、看不见的冒险和经历。

疫情发生的时候，Airbnb已经有了约10亿美元的预订，公司决定将这笔钱退还给客人们。他们还设立了一个2.5亿美元的房东基金，帮助房东们渡过接下来收入受损的几个月。

切斯基的直觉非常正确。后来当人们可以再次外出 旅游 时，Airbnb的房东也开始重新开放了他们的家。2020年12月，Airbnb公司上市当天的预期估值为470亿美元，当天结束时，其市值飙升至865亿美元。

后来，当每一次新的危机来临时，切斯基都会回到他一直思考的问题上。“我们无意扰乱 旅游 业，只是打算在家里招待客人。”或许正是因为这个朴素的初心，Airbnb才能一次又一次的在困难前屹立不倒。

股融易资讯： 科技 、资本与经济动态

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中金：2022年有望成为硅碳负极产业化元年

硅碳负极需求增长，配套材料有望同步受益。随着硅碳负极需求量增长，机构认为与之配套使用的纳米硅粉，补锂剂，硅碳负极粘结剂，碳纳米管导电剂，新型电解液添加剂等产品需求同样将得到显著催化。硅碳负极材料具有能量密度高，放电平台合适等优点，是较具潜力的下一代锂电池负极材料。随着生产工艺成熟及配套产业链完善，我们判断2022年有望成为硅碳负极产业化元年。

折叠屏手机国际展争奇斗艳，产业链公司订单爆满忙扩产

2月28日至3月3日，世界移动通信大会MWC 2022在西班牙巴塞罗那举行。折叠屏手机无疑是此次展会上最吸睛的存在之一。华为、三星、荣耀、TCL、OPPO等均在大会上展示了最新折叠屏手机产品。有业内分析人士分析称，除性能逐渐完善、价格也降到万元上下导致消费者尝鲜热情高涨外，当前折叠屏手机持续紧俏也跟供应有限、出货量难以快速放大有关。订单爆满之下，产业链已经在加码扩充产能。

蜜雪冰城正式进入新加坡和马来西亚

蜜雪冰城已经正式进入了新加坡和马来西亚两个东南亚国家，2月26日，蜜雪冰城在新加坡和马来西亚柔佛州新山市开设了当地的第一家门店。目前，蜜雪冰城已经进入了越南、印尼、新加坡、菲律宾和马来西亚五个东南亚国家。东南亚市场是蜜雪冰城海外扩张的重点，因为蜜雪冰城认为 “热带地区的消费者更需要冰淇淋和茶饮”，并且 “当地 社会 形态、经济情况和国内三四线近似”。

名创优品2022财年Q2财报：净利润2.1亿，全球门店5045家

3月3日，名创优品集团（NYSE : MNSO）发布2022财年第二财季未经审计财务业绩。财报显示该季度总营收达27.7亿元人民币，较2021年同期同比增长21%。按非国际会计准则（Non-IFRS）调整后净利润2.1亿元，同比增长155%。 财报显示，名创优品本季末全球门店5045家。其中，国内门店3168家，本季度国内店铺净增133家；本季末海外门店数1877家，海外店铺净增41家。潮玩业务方面，本季度TOP TOY收入达到1.3亿元，环比增长20%。

格力等投资成立景星投资合伙企业

3月1日，珠海市景星投资合伙企业（有限合伙）成立，执行事务合伙人为曲志超，经营范围为以自有资金从事投资活动。合伙人信息显示，该企业由珠海格力金融投资管理有限公司、珠海大横琴集团有限公司等共同持股。

以下是【股融易资讯】为您整理的今日股权融资事件

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电子内窥镜研发商「科沁微视」完成数千万元A轮融资融资

“科沁微视”长期专注于一次性电子内窥镜及微创可视化系统集成，聚焦微创手术一次性内窥镜领域，据了解，目前公司在新一代超细微创、微显、高清可视化医疗手术器械方面实现了微加工、微装配技术以及模组封装和测试工艺的突破。

吉美瑞生完成超亿元B轮融资，深创投领投

3月3日消息，吉美瑞生再生医学集团（Regend Therapeutics Inc.，简称吉美瑞生）宣布完成超亿元B轮融资，本轮融资由深创投领投，万容红土、东吴证券、招商证券、锲镂明远跟投。

晶湛半导体完成数亿元战略融资，歌尔微电子领投

3月3日消息，近日，苏州晶湛半导体有限公司（晶湛半导体）宣布完成B+轮数亿元战略融资。本轮融资由歌尔微电子（歌尔股份002241.SZ 控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。

中国氮化镓生产十大企业如下：

1、中国苏州能讯

2007年成立，能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。

产品：氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管。

芯技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。

氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。

2、苏州晶湛

2012年成立，位于苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。 截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模。

产品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。

技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。

3、珠海英诺赛科

成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS技术。

产品：单管GaN FET，半桥GaN FET、GaN IC。

技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车。

4、重庆华润微

2000年成立，以销售额计，公司是2018年前十大中国半导体企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。

产品：8英寸硅基氮化镓生产线，国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务。

5、杭州士兰微

成立于1997年9月，总部在中国杭州。

2003年上市产品：国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。

6、重庆聚力成

2018年9月成立，于重庆市大足区建设硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片基地。

产品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件。

技术及应用：目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段，整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。

7、台湾积体电路制造

成立于1987年，2019年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。

产品技术：6英寸的GaN-on- Si。

8、三安集团

于2000年11月成立，坐落于厦门。

产品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。

技术及应用：三安集成的氮化镓（GaN）E-HEMT技术服务于消费者和工业应用，如适配器／充电器，电信／服务器smp，无线电源，车载充电器（OBC)和成本有效的解决方案。

9、苏州捷芯威

成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。

产品：硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，导通电阻Ron＜0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。

单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，开态时导通电阻低于1Ω，且关态时漏电低于1uA/mm。

10、大连芯冠

2016年3月17日成立于大连高新区，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式。

产品：硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件。

技术及应用：已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。

事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。

如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。

GaN衬底企业

东莞市中稼半导体 科技 有限公司

东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。

官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。

东莞市中晶半导体 科技 有限公司

东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。

中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。

苏州纳维 科技 有限公司

苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。

据官网介绍，目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。

镓特半导体 科技 （上海）有限公司

镓特半导体 科技 （上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。

官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。

GaN外延片企业

苏州晶湛半导体有限公司

苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。

官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。

2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。

在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。

聚力成半导体（重庆）有限公司

聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。

2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。

GaN制造企业

成都海威华芯 科技 有限公司

成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。

海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

厦门市三安集成电路有限公司

厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。

三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。

华润微电子有限公司

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。

2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。

杭州士兰微电子股份有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。

近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企业

苏州能讯高能半导体公司

苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。

能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。

江苏能华微电子 科技 发展有限公司

江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。

能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。

2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

大连芯冠 科技 有限公司

大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。

官网介绍称，芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

江苏华功半导体有限公司

江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。

根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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