华为芯片即将断供？50年前，韩国曾为了芯片拼尽所有

1、芯片危机

前几天，“华为没有芯片了”登上热搜，牵动亿万民心。

华为业务总裁余承东在中国信息化百人会2020年峰会上表示，华为手机上半年发货1.05亿台，销售额高达2558亿元。本来可以超过三星，但在美国的制裁下未能如愿。

与此同时，他还发布了一个坏消息。由于美国的第二轮制裁，华为高端的麒麟系列芯片只能支撑到9月15日，这可能是最后一代麒麟。

▲ 余承东

美国的制裁，事实上非常精准。华为可以设计芯片，但是无法生产。5nm高端芯片，目前只有两家公司拥有成熟的技术，那就是台积电和三星。

台积电的停止代工，确实是一场灾难。

而三星作为对手，当然更指望不上。然而，三星的发家史，却可能带给我们帮助。

在以芯片为核心的半导体行业，有两个让人震惊的事实。

一是当今的霸主竟然不是美国，而是我们的邻居韩国。早在2017年，三星就在半导体领域问鼎世界第一，推翻了稳占25年龙头的英特尔。不仅如此，SK海力士还占据了第三名。

二是半导体产品比石油还要暴利。同样在2017年，中国进口了2601亿美元的芯片，竟然比石油还多。而芯片，占据了大约80%的半导体市场份额。

如此顶尖的产品，天下三强有其二，小小的韩国为何有如此大的威力？

更恐怖的是，韩国在半导体领域的起步比美国晚了20年，他们为什么能够后发先至呢？

我们不妨从韩国的代表企业三星身上寻找答案，也许这个答案能够为中国的企业带来启示。

2、始于足下

三星的发家史，比韩国的 历史 更加曲折悠长。1938年，李秉喆在大邱市创建了三星商会，主要往中国东北出口干鱼、水果和蔬菜。

为什么叫三星呢？这里包含一个远大的志向。

“在中国，一为最大，在韩国，三为最大。太阳有冷热之变化，而星辰却永恒不变，我就是要建立一个庞大而永恒的企业。”

▲ 当年的三星商会

乱世之下，企业连生存都是难题。1941年日本偷袭珍珠港后，为了应对美国的反击，三星95%的产品被收为军饷，商会摇摇欲坠。

好在福祸相倚，二战后日本被迫归还了朝鲜半岛，同时把产业转让给了韩国人。李秉喆也凭借政治上的关系，购买日方产业成为了崛起的财阀势力。

后来韩鲜战争的爆发，再一次让三星梦碎。但在韩国政府的强力扶持下，战后的三星迅速恢复了元气，在制糖、毛纺和肥料方面成为了韩国的龙头。

▲ 三星创始人李秉喆

对于雄心远大的李秉喆来说，韩国被殖民与吞并的 历史 ，一直是心头的大痛。他时刻不忘实业报国，寻找着适合韩国发展的高附加值道路。

有一次，他前往日本东京电子工业团地参观，三洋电机会长井植岁男的话让他豁然开朗。

“电子工业从以沙子为原料的硅片到录像机，都是从无到有的产业，其附加值高达99.9%。”

1969年1月，他回国就建立了三星电子，把电子产业的心脏——芯片，当成了毕生的事业。

▲ 韩国首尔1960年代街头

对于起步落后美国20年的三星来说，要发展芯片谈何容易。高端产品早就发展为城堡，有层层专利筑起来的坚固壁垒，对方可以轻易地击杀攻城者。

在当时的芯片界，美国的仙童、镁光、摩托罗拉，日本的三菱、东芝、夏普，早就抢占了制高点，哪里还有新手的位置？

但千里之行，始于足下，李秉喆大胆地迈出了第一步，默默地积蓄着力量。

3、血亏不弃

1973年，第一次石油危机爆发，油价狂涨两倍多，引发了严重的经济危机，美国的工业产值下降了14%。

李秉喆却在一片混乱中看到了机会，他无视管理层的警告，竟然在第二年自掏腰包，入股濒临破产的美国半导体公司Hankook。

这一冒险至极的举动，为公司推开了芯片的大门。1978年，他又成立了三星半导体，决心进军芯片领域。

原先忠告“韩国经济水平低、不适合发展半导体”的日本企业，见此情形后立刻警觉起来，尽一切手段防止技术的流失。

70年代，三星的电视机畅销世界，但只是些边缘的技术，李秉喆对芯片仍魂牵梦萦。念念不忘，必有回响，在等待了十几年之后，他终于等到了机会。

1982年，他前往美国考察时，敏锐地发现了美日关系的裂痕。日本的256K DRAM内存芯片已经批量生产，美国的256K DRAM才研制出来。

美国感到了威胁，于是上升到了政治层面，美国商务部决定调查日本芯片的廉价倾销。

李秉喆趁着美国对日本的敌意，在1983年建立了首个芯片厂，并在年底研发出了64K DRAM，成功在第二年出口到了美国。

64K DRAM在技术上落后了4年，属于最低端的芯片，本身没有多少竞争力。日本企业更如群狼，他们联合起来降低价格，从每片4美元降到了0.3美元，企图消灭一切对手。

▲ 日本夏普

当时三星的成本为每片1.3美元，每卖一片就要血亏1美元。面对着巨额的亏损，李秉喆并没有后退，反而加大了赌注，以逆周期投资的方法研发更大容量的芯片。

1986年底，他已经赔了3亿美元。但形势正如他的预判，英特尔等厂商因为持续掉血退出了DRAM市场，谁能够撑下去谁就有可能赢得未来。

美日的半导体战争持续升级，三星则静待时局的变化。恰如猛虎卧荒丘，潜伏爪牙忍受。

4、渔翁得利

由于日本厂商DRAM的低价策略，眼看着就要成为半导体行业的王者。力不从心的美国在1987年3月，宣布对日本产品实施反倾销关税。

面对美国的制裁，日本只能减少产量以提升价格，结果导致了美国市场的供不应求。三星生产的256K DRAM则趁机填补了空缺，一举摆脱了亏损，站稳了脚跟。

令人始料未及的是，美日的半导体大战，笑到最后的却是韩国。在扭亏为盈之后，三星继续全力研发更大容量的DRAM存储芯片。

到1992年，三星已经和美日并驾齐驱，并抢先研究出64M DRAM，成为了行业引领者，从此晋升为世界第一大DRAM制造商。

▲ 时至今日，三星自研的5G基带芯片，同样为世界顶级

从1969年的芯片梦，到1983年的首个芯片厂，三星用了23年时间实现了梦想。

它究竟是怎么做到的呢？

首先，当然是美国的大力扶持。 美国不仅仅在技术上帮助了韩国，更拱手把美国市场让给了韩国。

当美国对日企征收100%反倾销关税时，对三星的关税只有0.74%。如此大的差别对待，使原本处于劣势的三星反败为胜，攻陷了原本日企占领的美国市场。

其次，三星重金吸收全世界的顶尖人才。 1986年，三星就挖走了日本东芝的生产部部长。

等到1990年日本经济泡沫破裂后，他们更是以3倍的工资挖日本的技术人员，配备4室1厅的公寓，还安排了秘书、厨师和司机。

然后，三星还建立了情报机构，专门收集美国和日本的技术动向，并秘密拉拢两国的技术人员。

日本经济泡沫破裂后，三星通过情报知晓了东芝在闪存芯片方面的突破，果断向东芝发出了合作邀请。经济窘迫的东芝为了续命，只得答应了请求。

▲ 日本东芝

正是东芝的闪存技术，帮助三星赶超了竞争对手，最终问鼎了DRAM和闪存领域的世界第一。

不得不感慨三星的深谋远虑，这完全是一场经典的战役。从全局出发，不计较一城一池的得失。待时机成熟时，不仅全面收复失地，而且发起了反攻。

5、技术至上

当然，三星芯片的成功还有一个重要因素，那就是韩国政府的鼎力支持。

比如1982年到1987年的“半导体工业振兴计划”，韩国政府提供了3.46亿美元贷款，极大地刺激了行业的发展。

在研究4M DRAM时，直接由政府部门牵头，联合了六所大学，配合企业界的三星、LG、现代共同技术攻关。在三年的研发里耗资1.1亿美元，政府承担了57%的费用。

许多人看到三星时，会下意识地轻蔑，觉得三星不过是依靠美国的全力扶持，才走向了崛起的道路。

但是，世界上许多国家或公司，正是以这种方式发家。日本也是得到了美国大量的经济援助，美国独立更是多亏了法国的帮忙。

关键在于，当机会来临时，你有没有准备好，能不能抓住它。

比起运气来，三星崛起更大的原因是对技术的尊重：冒险收购先进企业、重金吸收顶级人才，哪怕多年亏损也不改初衷。

因为有了这些充足的准备，韩国才抓住了美国赐予的良机。

正如同李秉喆所说： “技术的支配者将支配全世界。”

李秉喆去世于1987年，并没有看到韩国芯片的称霸，但他的儿子李健熙带领三星实现了他的梦想：

“摆脱个人企业的范畴，为了通过技术的先进化，给后世留下一个富裕的祖国，向最尖端的半导体事业进军。”

从一片荒芜，发展成为枝叶葳蕤的森林。三星的霸业，成就了无数韩国人心中的世界第一。

任何一个国家想要摆脱贫困，都必须借助技术。而发展技术离不开唯才是举、知已知彼，还有实业报国的志向、破釜沉舟的勇气。

不管前路有多么危险，发展技术是华为唯一的出路，也是每一家有远大志向公司的出路。

作者：令狐空

Hynix 海力士晶片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代记忆体，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

基本介绍公司名称 ：海力士 外文名称 ：Hynix 总部地点 ：韩国 经营范围 ：半导体 年营业额 ：266.37亿美元（2018年）  缩写 ：HY 世界500强 ：第442名 （2018年） 年利润 ：94.14亿美元（2018年）  历史沿革,市场概况,市场地位,市场前景,发展过程,企业事件, 历史沿革 海力士为原来的现代记忆体,2001年更名为海力士。 海力士 2012年更名SK hynix。 海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家记忆体大厂。 市场概况 市场地位 在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。 市场前景 海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。 发展过程 2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。 2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。 2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。 2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社 04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM 03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证 02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM 01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模组为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。 2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM 11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM 08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工 世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM 为引进崭新而创新性NAND快闪记忆体存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大 05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案 04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2 02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM 01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程式上进行合作的契约 2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证 2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes) 11月WTO做出判决海力士进口晶片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协定，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM 10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证契约与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的契约 09月以24层叠晶片(stacked chips)，世界最先开发NAND快闪记忆体MCP 08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM 07月发表企业中长期总体规划 05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证 04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率 03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应契约 与SanDisk就特许商户许可证契约达成协定及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长 01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模组 2006年创下最高业绩及利润 2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模组，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM 10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网路 09月300mm研究生产线下线 03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证 01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计画(快闪记忆体驱动器内置的新型DiskOnChip) 2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM 11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM 07月 提前从企业重组完善协定中抽身而出 04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼 03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润 01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协定 2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协定 08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协定 07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润 06月 签订非记忆体事业营业权转让协定 03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证 02月 成功开发NAND快闪记忆体 2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU 08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。 07月 宣布在世界上首次发表DDR500 06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证 05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产 04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协定合作生产NAND快闪记忆体 03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM 2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门 10月 开发0.10微米、512MB DDR 08月 在世界上首次开发高密度大宽频256MB的DDR SDRAM 06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户 03月 开发1G DDR DRAM模组 2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM 08月 完成与现代集团的最终分离 07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’ 05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’ 剥离网路业务‘Hyundai Neorks’ 03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司” 2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’ 04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Auto’ 1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社 03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC） 1998年09月 开发64M的DDR SDRAM 1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM 1996年12月 公司股票上市 1989年11月 完成FAB III 09月 开发4M的DRAM 1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE） 01月 开发1M的DRAM 1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical” 04月 设立半导体研究院 1985年10月 开始批量生产256K的DRAM 1984年09月 完成FAB II-A 1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保全方针线上举报公司标志 企业事件 2013年9月4日下午3点半左右，无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏，引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救，截至当日18点，明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中，1人受轻微外伤，另有10余人去医院进行呼吸道检查，均无大碍。火灾发生后，无锡市委主要领导作出批示，市 *** 和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援，市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气品质情况进行检测。火灾原因仍在调查中。 2013年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月，这场大火尽管没有人员伤亡，但其影响却很大，比如在国内晶片市场和保险市场方面。 昨日（12月19日），有险企人士向《每日经济新闻(微博)》记者透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内最大的一笔保险赔案。 据《中国保险报》此前报导，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。 上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。 SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险，国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元，这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍，现在的进展情况是正在运行之中，已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付，这也将推高今年企业财产险的相关保费。 2018年5月31日，中国反垄断机构对三星、海力士、美光位于北京、上海、深圳的办公室展开突然调查，三大巨头有碍公平竞争的行为以及部分企业的举报推动了中国反垄断机构发起此次调查。 根据美光、三星、海力士财报统计，2017财年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

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