以Si为例,说明导带底状态密度有效质量mdn与导带有效状态密度Nc的意义和区别.

以Si为例,说明导带底状态密度有效质量mdn与导带有效状态密度Nc的意义和区别.,第1张

对于非简并的n型半导体,如果把导带中的所有可能被电子占据的能级都归并到导带底(Ec)这一条能量水平线上(设归并到一起的能级的密度为Nc),那么电子占据各条能级的几率就都将一样(等于exp[-(Ec-Ef)/(kT)]),于是就可直接写出导带电子的浓度与Fermi能级的关系为no=Nc exp[-(Ec-Ef)/kT]. 当然,这时归并到导带底的有可能被占据的能级的密度(Nc)必然不等于整个导带的能级密度,则称Nc为导带的有效能级密度(或者有效状态密度).因为温度越高,电子的能量就越大,则在导带中有可能占据的能级数目就越多,故有效能级密度与温度T有关;仔细的分析可给出为Nc=2(2πm*kT/h2)3/2,式中的h是Planck常数,m*是电子的所谓状态密度有效质量,T是绝对温度. 在室温下,对于Si,Nc=2.8×1019cm–3;对于GaAs,Nc=4.7×1017cm–3.可见,Nc比晶体的原子密度(5×1022 cm–3)要小得多.这就表明,在非简并情况下,载流子只是占据导带中的很少一部分能级(这时电子基本上就处在导带底附近).

测试环境ec指溶液中可溶性盐的浓度的值,nc是阴性对照。EC值是指溶液中可溶性盐的浓度的值,也可以用来代表液体肥料或种植介质中的可溶性离子浓度。高浓度的可溶性盐类会使植物受到损伤或造成植株根系的死亡。NC是阴性对照,是说序列打乱的无意义对照。


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