什么是结温？

结温（Junction Temperature）是电子设备中半导体的实际工作温度。在 *** 作中，它通常较封装外壳温度（Case Temperature）高。温度差等于其间热的功率乘以热阻。

最大结温在指定一个组成成分的数据，并给定功耗的情况下，计算外壳与环境之间热阻。或者反过来可以帮助设计人员确定一个合适散热器。

散热器

有些设备工作时会产生大量的热量，而这些多余的热量不能有快速散去并聚积起来产生高温，很可能会毁坏正在工作的设备，这时散热器便能有效地解决这个问题。

散热器是附在发热设备上的一层良好导热介质，扮演犹如中间人一样的角色，有时在导热介质(导热膏)的基础上还会加上风扇等等东西来加快散热效果。但有时散热器也扮演强盗的角色，如冰箱的散热器是强制抽走热量，来达到比室温更低的温度。

因为硅的禁带宽度比锗的大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。在通常情况下，要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度，所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以，硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。

扩展资料：

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。

参考资料来源：百度百科-锗半导体

参考资料来源：百度百科-半导体禁带宽度