台湾富鼎的MOS怎么样?

台湾富鼎先进Advanced Power Electrical（APEC）算是台系几个功率半导体供应商里排名靠前的厂商了。产品覆盖面还算广，AC-DC控制器、DC-DC控制器、高压/低压MOSFET、IGBT等，主要还是做分立功率器件，控制器不是很好卖。台企的功率产品基本都是走的成本路线，MOSFET的性能虽然静态性能基本能赶上主流，但是受制于制作工艺，MOSFET的动态性能和日企还差一个台阶，跟欧美一线功率半导体企业更是差一个档次，06年签下了IR的DirectFET封装技术，消化了很久不说，整整几年的产品发展都因此受到了影响，比其它几个竞争台企落后了很多，最近1～2年才开始奋起直追。对行业的发展趋势感觉也慢半拍，整合器件的开发也都跟在日企和欧美系领头羊后面。

APEC的MOS管用在消费电子行业里比较多，例如像PC主板、PC显卡、LCD显示器这样的3C产品，因为价格便宜，交期也快，对性能要求也不是太高。但是如果对产品性能、可靠性要求高的医疗、通讯、工业领域，我建议还是考虑一下日系MOSFET和欧美系MOSFET管。

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世界贸易组织 （World Trade Organization ，简称为WTO

APEC是亚太经合组织的简称.英文全称为Asia-Pacific Economic Cooperation(APEC

中国人民财产保险股份有限公司英文People's Insurance Company of China的缩写

HK作为地区名为中国香港特别行政区的英文简称,英文全称Hong Kong

VIP一种翻译是VERY IMPORTENT PERSON ，贵宾的意思

ATM自动取款机 ATM是 Automated Teller Machine的缩写

UFO全称Unidentified Flying Object 中文意思是不明飞行物

ID abbr. 1. =identification(身分) 2. =identity(身份) 3. =[拉] idem (=the same)

ID是英文IDentity的缩写,身份标识号码的意思。也可以称为序列号或帐号,是某个体系中相对唯一的编码,相当于是一种“身份z”。

【网络用语】IC 英语网络用语,IC=I see!

【医学用语】免疫复合物 immune complex 又称抗原抗体复合物

【IC产业】IC的定义 IC就是半导体元件产品的统称。包括:1.集成电路板(integratedcircuit,缩写:IC)

现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

美系：IR ST 仙童 安森美 TI  PI 英飞凌；

日系：东芝 瑞萨 新电元；

韩系：KEC AUK 美格纳 森名浩 威士顿 信安 KIA；

台系:APEC CET ；

国产：吉林华微 士兰微 华润华晶  东光微 深爱半导体。

扩展资料

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能；这样的器件被认为是对称的。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化；FET的增益等于它transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。

金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。

MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。

这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。

参考资料：mos管.百度百科

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