半导体室温时电阻率约在10-5~107欧·米之间,温度升高时电阻率指数则减小。
半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化镓、磷化镓等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
半导体分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体就是我们制作晶体管用的。阁下学将要学电子的吧,。
一、带隙:导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。
带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体,例如GaN、SiN和ZnO。
小于3ev的就是窄带隙。
带隙越大,电子由价带被激发到导带越难,本征载流子浓度就越低,电导率也就越低。
室温下,Si的带隙为1.1eV,GaAs的带隙为1.43eV,一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体,宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件,高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
二、宽窄的判定
宽是指>3ev 窄是指<3ev。
额,自己写的不知道对不对,有错就抱歉了。导带极值在<110>,建立空间直角坐标系。若B在<111>方向,由空间几何知识可以算出,cos2θ=2/3,sin2=1/3,或者cos2θ=0,sin2θ=1故有两个吸收峰。同理得到在100方向有2个吸收峰,110方向有3个吸收峰,任意方向有6个吸收峰。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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