在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？

温度变化时候，载流子数目肯定变化。少子与多子变化数目不相同。 因为少子浓度和多子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方。二者和不是定值，积是一个定值。

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备杂质半导体时一般按百万分之一数量级的比例在本征半导体中掺杂。也叫掺杂半导体。

半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。

例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级—施主能级。

施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为N型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

应该是这样的：

1 对于AB段而言，此时温度较低，温度对于杂质的影响大于对半导体本身的影响。此时半导体中的载流子主要是由杂质电离出的。温度上升时，载流子数量上升，电阻率下降。

2 对于BC段而言，此时，杂质电离完成，即已饱和。但本征激发不显著，载流子影响降低，晶格振动的影响变大，电阻率随温度上升。

3 对C点以后，和本征半导体类似，此时本征激发成为主要因素，故电阻率随温度上升而下降。