pn结反向饱和电流到底是怎么形成的,它的大小跟哪些因素有关?

其根本在于PN结的单向导电性。反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。

它的大小跟温度因素有关。

扩展资料

从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。

而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。

当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。

参考资料来源：百度百科-PN结

参考资料来源：百度百科-反向饱和电流

在静态(且无光，热，辐射的影响)半导体的“等效电阻”与电流,电压的关系也是符合欧姆定律的。

只不过是这个“等效电阻”，它不是常量。它是随外加电压的改变而改变。

半导体PN结的电流I与电压U关系式:

I=i（e的qU/kT次方-1）

q:是电子的电荷量

T:是绝对温度，单位为K

k:常数=1.38*(10的负23次方)/K

i:是反向饱和电流

U:PN结外加电压

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