飞思卡尔半导体怎么样？

飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)是全球领先的半导体公司，全球总部位于美国德州的奥斯汀市。专注于嵌入式处理解决方案。飞思卡尔面向汽车、网络、工业和消费电子市场，提供的技术包括微处理器、微控制器、传感器、模拟集成电路和连接。飞思卡尔的一些主要应用和终端市场包括汽车安全、混合动力和全电动汽车、下一代无线基础设施、智能能源管理、便携式医疗器件、消费电器以及智能移动器件等。在全世界拥有多家设计、研发、制造和销售机构。Gregg Lowe是总裁兼CEO，该公司在纽约证券交易所股票代码(NYSE)：FSL，在2013年投入了7.55亿美元的研发经费，占全年净销售额的18%。

2015年2月，飞思卡尔与 NXP达成合并协议，合并后整体市值 400 亿美金。购将在2015年下半年彻底完成。交易完成后，飞思卡尔股东将获得 6.25 美元 + 0.3521 NXP 股份 / 每股 的回报，占合并后公司 32% 股权。同时，飞思卡尔市值将达到 118 亿美金，合并后实体整体市值达到含债 167 亿美金。

产品范围

8位微控制器（单片机）、16位微控制器（单片机）、32位ARM Cortex-M架构微控制器（单片机）－Kinetis系列、与ARM Cortex-A架构i.MX系列处理器、Power Architecture™/PowerQUICC™、高性能网络处理器、高性能多媒体处理器、高性能工业控制处理器、模拟和混合信号、ASIC、CodeWarrior™开发工具、数字信号处理器与控制器、电源管理、RF射频功率放大器、高性能线性功率放大器GPA、音视频家电射频多媒体处理器、传感器。具体如下：

Kinetis ARM Cortex-M微控制器

Kinetis [kə'netis]是飞思卡尔32位微控制器/单片机，基于ARM®Cortex®-M0+和M4内核。Kinetis包含多个系列的MCU，它们软硬件互相兼容，集成了丰富的功能和特性，具有出类拔萃的低功耗性能和功能扩展性。

Kinetis K系列/MK（Cortex-M4）

Kinetis L系列/MKL（低功耗Cortex-M0+）

Kinetis E系列/MKE（5V Cortex-M0+）

Kinetis EA系列/MKEA（汽车级产品）

Kinetis W系列/MKW（无线互联，Cortex-M4/M0+产品）

Kinetis M系列/MKM（能源计量，Cortex-M0+产品）

Kinetis V系列/MKV（电机控制产品）

Kinetis Mini/Mini Package（微小封装）

i.MX ARM Cortex-A/ARM9/ARM11 微处理器

i.MX应用处理器是基于ARM®的单核/多核解决方案，适用于汽车电子、工业控制、中高端消费电子、电子书、ePOS、医疗设备、多媒体和显示、以及网络通信等应用，具有可扩展性、高性能和低功耗的特点。

i.MX6: Cortex-A9内核，i.MX 6 Quad, i.MX 6 Dual, i.MX 6 DualLite, i.MX 6Solo, i.MX 6 SoloLite

i.MX53x: Cortex-A8内核

i.MX28x: ARM9™内核，双CAN，以太网L2交换，IEEE 1588。

i.MX25x: ARM9™内核

Qorivva 32位微控制器

基于Power Architecture®技术的Qorivva MCU采用功能强大的高性能车用器件内核架构，构建丰富的系列产品，满足各种汽车应用的需求。

Qorivva MPC57xx

Qorivva MPC56xx

Qorivva MPC55xx

MobileGT(51xx/52xx)

5xx控制器

传感器

飞思卡尔半导体在传感领域具有30多年的发展历史，它的Xtrinsic产品开创了传感技术的新纪元。这个最新品牌的传感器在设计上将智能集成、逻辑和定制化软件完美结合在平台之中，可提供更智能、更独特的应用。

飞思卡尔Xtrinsic品牌的传感器展示了集成的算法，或是集成了多个传感器和处理器的平台，具有高度环境感知和决策功能。Xtrinsic传感解决方案的产品涵盖汽车、消费电子、医疗和工业市场。

模拟电子与电源管理

飞思卡尔提供模拟混合信号和电源管理解决方案，其中包含采用成熟的大规模量产型SMARTMOS™混合信号技术的单片集成电路，以及利用电源、SMARTMOS™和MCU芯片的系统级封装器件。飞思卡尔产品有助于延长电池使用寿命、减小体积、减少组件数量、简化设计、降低系统成本并为先进的系统提供动力。我们拥有丰富的电源管理、高度集成I/O、模拟连接、背光、网络、分布式控制和电源产品，可用于当今各种汽车、消费电子和工业产品。

射频

飞思卡尔的射频产品组合非常丰富，主要应用于无线基础设施、无线个人局域网、通用放大器、广播、消费电子、医疗、智能能源、军事和工业市场等。我们引领射频技术的发展，并将继续成为利用最新技术开发具有极高性能的高质量、高可靠性产品的领导者。

应用领域

飞思卡尔的产品广泛得应用于以下领域：高级驾驶员辅助系统（ADAS），物联网（IoT），软件定义网络（SDN），汽车电子，数据连接，消费电子，工业，医疗/保健，电机控制，网络，智能能源等。

来自百科。

光电材料是指用于制造各种光电设备（主要包括各种主、被动光电传感器光信息处理和存储装置及光通信等）的材料，主要包括红外材料、激光材料、光纤材料、非线性光学材料等。

红外探测材料

包括硫化铅、锑化铟、锗掺杂（金、汞）、碲锡铅、碲镉汞、硫酸三甘酞、钽酸锂、锗酸铅、氧化镁等一系列材料，锑化铟和碲镉汞是目前军用红外光电系统采用的主要红外探测材料，特别是碲镉汞（Hg-Cd-Te）材料，是当前较成熟也是各国侧重研究发展的主要红外材料。它可应用于从近红外、中红外、到远红外很宽的波长范围，还具有以光电导、光伏特及光磁电等多种工作方式工作的优点，但该材料也存在化学稳定性差、难于制成大尺寸单晶、大面积均匀性差等缺点，Hg-Cd-Te现已进入薄膜材料研制和应用阶段，为了克服该材料上述的缺点，国际上探索了新的技术途径： （1）用各种薄膜外延技术制备大尺寸晶片，这些技术包括分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）和金属有机化合物气相淀积（MOCVD）等。特别是用MOCVD可以制出大面积、组分均匀、表面状态好的Hg-Cd-Te薄膜，用于制备大面积焦平面阵列红外探测器。国外用MOCVD法已制成面积大于5cm2、均匀性良好、Δx=0.2±0.005、工艺重复性好的碲镉汞单晶薄膜，64×64焦平面器件已用于型号系统、512×512已有样品。 （2）寻找高性能新红外材料取代Hg-Cd-Te，主要包括：①Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，美国和乌克兰等国从80年代中就开展了这方面的研究，研究表明，Hg1-xZnxTe和Hg1-x CdxZnyTe的光学特性和碲镉汞很相似，但较容易获得大尺寸、低缺陷的单晶，化学稳定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半导体材料，在磁场中的光伏特性与碲镉汞几乎相同，但它克服了Hg-Te弱键引起的问题。②高温超导材料，现处于研究开发阶段，已有开发成功的产品。 ③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用于8～14μm远红外探测器，如：InAs/GaSb（应变层超晶格）、GaAs/AlGaAs（量子阱结构）等。 ④SiGe材料，由于SiGe材料具有许多独特的物理性质和重要的应用价值，又与Si平面工艺相容，因此引起了微电子及光电子产业的高度重视。SiGe材料通过控制层厚、组分、应变等，可自由调节材料的光电性能，开辟了硅材料人工设计和能带工程的新纪元，形成国际性研究热潮。Si/GeSi异质结构应用于红外探测器有如下优点：截止波长可在3～30μm较大范围内调节，能保证截止波长有利于优化响应和探测器的冷却要求。Si/GeSi材料的缺点在于量子效率很低，目前利用多个SiGe层来解决这一问题。 〔6〕1996年美国国防部国防技术领域计划将开发先进红外焦平面阵列的工作重点确定为：研制在各种情况下应用（包括监视和夜间/不利气象条件下使用的红外焦平面阵列）的红外探测器材料，其中包括以如下三种材料为基础的薄膜和结构：具有芯片上处理能力的GgCdTe单片薄膜、InAs/GaSb超晶格和SiGe（肖特基势垒器件）。这三种材料也正是当前红外探测材料发展和研究的热点。

红外透波材料

主要用作红外探测器和飞行器中的窗口、头罩或整流罩等，它的最新进展和发展方向如下：（1）目前，在中红外波段采用的红外透过材料有锗盐玻璃、人工多晶锗、氟化镁（MgF2）、人工蓝宝石和氮酸铝等，特别是多晶氟化镁，被认为是综合性能比较好的材料。远红外材料是红外透过材料当前研究发展的重点之一，8～14μm长波红外透过材料有：硫化锌（ZnS）、硒化锌（ZnSe）、硫化镧钙（CaLa2S4）、砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）和锗（Ge）等。ZnS被认为是一种较好的远红外透过材料，在3～12μm范围，厚2mm时，平均透过率大于70%，无吸收峰，采取特殊措施，最大红外透过率达95.8%。国外已采用ZnS作为远红外窗口和头罩材料，象美国的LANTRIRN红外吊舱窗口，Learjel飞机窗口等。美国Norton国际公司先进材料部每年生产上千个ZnS头罩。ZnS多晶体的制备方法主要有两种：热压法与化学气相淀积法（CVD），CVD法制备的材料性能较好。 红外透过材料发展的另一个重要方向是：耐高温红外透过材料的研究。高速飞行器在飞行过程中会对红外窗口和罩材产生高温、高压、强烈的风砂雨水的冲刷和浸蚀，影响红外透过材料的性能，因此需要一系列新型的耐高温、具有综合光学、物理、机械、化学性能的新材料。这些条件下使用的理想材料从室温到1000℃应具有下列特性：在使用波段内具有高透过，低热辐射、散射及双折射，高强度，高导热系数，低热膨胀系数，抗风砂雨水的冲击和浸蚀，耐超声波辐射等。最近研究较多的耐高温红外透过材料有镁铝尖晶石、兰宝石、氧化钇、镧增强氧化钇和铝氧氮化物ALON等。镁铝尖晶石是近年来研究最多的最优秀的红外光学材料之一，它能在高温、高湿、高压、雨水、风砂冲击及太阳暴晒下仍保持其性质，因而是优先选用的耐高温红外透过材料，它可透过200nm到6μm的紫外、可见光及红外光。单晶监宝石也是一种耐高温红外材料，它可透过从远紫外0.17μm到6.5μm的红外光，用新研制的热交换法晶体生长过程可以制造直径达25cm的大尺寸蓝宝石。氧化钇和镧增强氧化钇的透过波长为8μm，在氧化钇中掺入氧化镧，材料强度提高30%，光学特性不变。由于高温下具有很高的硬度，所以它具有很好的抗冲击、抗浸蚀性能。严格的说到目前还没有一种理想的材料能完全满足上述要求。但包括上述材料在内的不少材料具有较理想的综合性质。红外透过材料的第三个发展方向是：红外/毫米波双模材料，这是为适应红外/毫米波双模复合材料制导技术的需要。目前，还没有一种材料能满足红外/毫米波双模材料既要有高的远红外透过率又有小的介电常数和损耗角正切的要求，高性能的红外/毫米波双模材料尚待进一步研究发展。红外材料的应用：包括各种导d的制导、红外预警（包括探测、识别和跟踪、预警卫星、预警飞机、各种侦察机等）、观察瞄准（高能束拦截武器等）。

编辑本段激光材料

目前固体激光器正寻求在可见和近可见光谱范围波长可调，为此而发现的可调谐激光晶体已有30多种，其中，Cr3 离子掺杂新晶体具有较高受激辐射截面和低饱和能量密度，它们的波长范围是：Cr3 :LiCaAlF3为0.72～0.84μm、Cr3 :LiSrAlF6为0.78～1.01μm，特别是Cr:LiSAF，它的饱和能量密度为5J/cm2，在激光调谐范围，荧光寿命、激光效率、热透镜效应等方面具有良好的性能。

编辑本段军事应用

军用光电材料研究的目的是将研究成果应用于新一代高技术光电子装备系统，提高电子进攻和防卫综合电子战的能力。军用光电材料是军用光电子技术的重要基础，对军用光电子装备系统有重要的赋能和倍增作用。以红外材料为基础的光电成像夜视技术能增强坦克、装甲车、飞机、军舰及步兵的夜战能力，为航空、卫星侦察、预警提供重要手段，成像制导技术可大大提高导d的命中率和抗干扰能力。以新型固体激光材料为基础的激光测距、激光致盲武器和火控制系统等使作战能力大大加强。可调谐激光晶体为从可见光到红外波段可调谐激光系统提供工作物质可提高激光雷达、空中传感和水下探测等军用激光系统的领域监视、侦察能力。利用光纤材料、宽带、抗电磁和强核电磁脉冲干扰、保密、体积小、环境适应性强和抗辐照等优点，可实现地面武器系统无人远距离传感阵和有人控制站之间的GB/s级信息传输；舰船指挥可以通过光纤为远距离舰队发送信号，进行指挥；飞机将能发射光纤携绳的机载无人加强飞机或靶机；以往的武器有线制导将被光纤制导所取代；军用运载体的惯性导航系统将被光纤陀螺所取代；战略武器发射的C3I系统也将启用光纤C3I网络等等。总之，军用光纤系统的应用，将远远超越话音和低速率数据通信的范围，而进入传感、海上或空中武器平台及各种高速率传输系统。

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