俄罗斯有什么著名的科学家?
米哈伊尔•瓦西里耶维奇•罗蒙诺索夫(1711.11.19-1765.4.15),俄国百科全书式的科学家、语言学家、哲学家和诗人,被誉为俄国科学史上的彼得大帝。提出了"质量守恒定律"(物质不灭定律)的雏形。
尼古拉•罗巴切夫斯基,在1829年创立罗巴切夫斯基几何学,后来被社会公认并完全替代了欧几里得。喀山大学毕业生。随后在喀山大学任教,并出任校长。
巴夫尼提•切比雪夫,在数学和力学方面有杰出的贡献。创立了40多种机构学,其中大部分被使用在现代汽车制造中。
亚历山大•斯托列托夫,在电磁学、光学和分子物理学领域作过研究。 创建第一个光电探测器。把光电子的能量转换成电能。
德米特里•门捷列夫,在1869年发现基本自然定律-—化学元素的周期性。他制作出的元素周期表能够将现有元素分类,并据以预见一些尚未发现的元素和它们的性能。被公认为材料科学发现史上最伟大事件。
亚历山大•波波夫,发现电磁波的实际应用,比如,电磁波在无线电通讯领域的使用。 在1895年创建了当时最完善的无线电收音机。
谢尔盖•博特金,创立了机体整体性的学说。 初次介绍了甲型病毒性肝炎(博特金伯特克疾病)。
尼古拉•皮罗戈夫,野战外科学、局部解剖学、俄罗斯麻醉学的创始人。 把外科变成一门科学。
伊万•巴甫洛夫,致力于高级神经活动的研究,因在消化生理学方面的出色成果而荣获1904年诺贝尔生理学和医学奖金,成为俄罗斯第一个诺贝尔奖获得者。
伊里奇•梅契尼可夫,比较病理学、进化胚胎学、免疫学的创始人。 发现胞噬作用。成立了老年学。在1908年因为对免疫性系统的研究得到诺贝尔奖。
弗拉基米尔•佐利金
工程师、发明家。在俄罗斯出生并在这里学习。 ”现代电视之父“。创立显象管(1929年)、光电显象管(1931年)、电视系统(1933年)、奠定彩色电视基础(1940年)。
帕维尔•切连科夫,光学、原子核物理学、高能原子物理学的奠基人。诺贝尔奖获得者(1958年)。
尼古拉•瓦维洛夫,育种学原理、世界植物培植起源地学说的奠基人。植物免疫学说的发明人。
列夫•朗道,被“理论物理学经典教程”的作者之一。 在物理学多个领域都有重大贡献。因液氦的先驱性理论,被授予1962年诺贝尔物理学奖。
亚历山大•普罗霍罗夫,激光技术的创始人。创立了各种激光器。1964年的诺贝尔奖获得者。
彼得•卡皮察,因低温物理学方面的基本发现和发明获得1978年的诺贝尔奖。液化气体工业装置的发明人。圣彼得堡立技术大学毕业。莫斯科物理技术学院的创始人之一。
列昂尼德•坎托罗维奇,数学家,线性规划的创始人之一。在1975年获得诺贝尔奖。
尼古拉•谢苗诺夫,化学、物理学的创始人之一。他最重要的贡献是创立了链式分支反应理论。在1958年获得诺贝尔奖。圣彼得堡大学毕业。曾在托木斯克技术研究所和托木斯克大学工作。参与了莫斯科物理技术学院的创建
伊格尔•库尔恰托夫,在核物理学领域有一系列重大发现。在他的领导下,建造了欧洲第一座原子反应堆,造出了苏联的第一颗原子d,世界上第一颗氢d,并在 1954年建造了世界上第一座核电站– 奥布宁斯克核电站。
安德烈•图波列夫,航空设计师。设计了世界上第一个大型超音速客机Tu-144(1968年)。 参与过一百种以上飞机的创建,其中70个进入了系列。
若列斯•阿尔费罗夫,在半导体、半导体电子学和量子电子学方面有着五十多项发明并发表了五百多篇科学论文。特别是制造了第一个发光二极管。 2000年的诺贝尔奖获得者。 列宁格勒电子技术学院毕业生。
格里戈里•佩雷尔曼,现代杰出的数学家。 在2002年证明了庞加莱猜想,解决了数学界七大难题之一。
安德烈•海姆和康斯坦丁•诺沃肖洛夫,莫斯科物理技术大学的毕业生。在2010年由于对石墨烯研究获得诺贝尔奖。
尤里•奥加涅相,领导合成新化学元素的工程。在1999-2010年期间,他的实验室科研人员超过了欧洲同行业实验室。他们第一个获得了六个超重化学元素周期表。
阿列克谢•斯塔罗宾斯克,宇宙产生理论(通货膨胀理论)的创始人之一。卡弗里奖获得者(2014年)。
拉希德•苏尼亚耶夫,苏尼亚耶夫-泽尔多维效应(即:在外部空间宇宙微波背景辐射影响下电子发生逆康普顿散射)的创始人之一,。吸积盘理论(即:自由落体的物质被吸入黑洞)的创始人,京都奖获得者(2011年)。
亚历山大•霍列夫,有170多部著作,包括在国外出版的专题论文。对量子论的数学表述、量子统计学和量子信息论作出了重要贡献。三个国际大奖获得者 :量子通信奖 (1996年)、冯•洪堡奖(1999年)、克劳德•香农奖(2016年)。
苏俄/苏联/俄罗斯在科学领域对世界贡献不可小觑。
沙俄数学家帕夫努季·利沃维奇·切比雪夫(1821年5月26日-1894年12月8日),证明了贝尔特兰公式,自然数列中素数分布的定理,大数定律的一般公式以及中心极限定理,其提出的“切比雪夫网”是曲面论中的重要概念。
沙俄化学家门捷列夫在1869年,发现并制作了“元素周期表”,为发现众多稀有金属提供了路线图。
数学家安德烈·马尔可夫(1856——1922),提出并研究了一种能用数学分析方法研究自然过程的一般图式——马尔可夫链。同时开创了对一种无后效性的随机过程,即著名的马尔可夫过程的研究。
生物和神经学家伊万·彼得罗维奇·巴甫洛夫(1849-1936)是高级神经活动学说的创始人,条件反射理论的建构者,也是传统心理学领域之外而对心理学发展影响最大的人物之一,曾荣获诺贝尔奖。
工程学家奥尔科夫斯基(1857—1935)在 1903 年发表了《用喷气装置探索宇宙空间》,提出只有使用火箭才能进入太空,首次阐明了火箭飞行和火箭发动机的基本原理,提出了质量比概念,并推导出了著名的齐氏公式。
1939 年,苏联的达维多夫独立提出了有关半导体整流作用的理论。1964 年,原苏联杜布纳核研究所的弗列洛夫小组用氖离子轰击氧化钚靶,获得了 104 号元素。1970 年、1974 年,原苏联又合成了 106 号元素。俄国物理学家亚历山大·斯塔帕诺维奇·波波夫(1859~1906) 35岁时发明了世界第一台无线电接收机。同年,还制成了雷电指示器,是世界无线电通讯的发明者。
1954 年,原苏联建成了世界上第一座核电站。
1957 年 8 月,原苏联首次成功发射了第一枚洲际导d SS—6。这种洲际导d经过改进,作为运载火箭发射了第一颗人造地球卫星、东方号宇宙飞船等一系列航天器。1961 年 4 月 12 日,原苏联发射了世界上第一艘载人飞船“东方 1 号”,把宇航员加加林(1934—1968)送入地球轨道。这些重大科技活动的首要贡献者是苏联科学家科罗廖夫,他是世界第一艘射程超8000公里的洲际导d、第一颗人造卫星运载火箭、第一艘载人飞船的设计者。
1963 年,原苏联的巴索夫首先提出用激光打靶的办法产生核聚变。
1971 年 4 月 19 日,世界上第一个空间站“礼炮 1 号”由原苏联发射升空。同年 6月 6 日,“联盟 11 号”飞船载着 3 名宇航员,与“礼炮 1 号”空间站对接成功。3 名宇航员在空间站内工作 24 天。6 月 30 日,“联盟 11 号”飞船返回地球。至 1992 年底,全世界一共发射了 11 个空间站,其中原苏联 8 个,美国3 个,欧洲 1 个。
公司简介“仙童半导体”成立于1957年,但提到“仙童”,就不得不先提起另外的一段故事,那就是成就了“二十世纪最伟大发明”的“晶体管之父” 的肖克利(W.Shockley)博士,1955年肖克利离开贝尔实验室返回故乡圣克拉拉,创建了"肖克利半导体实验室"。不久,因仰慕"晶体管之父"的大名,无数的求职信像雪片般飞到肖克利办公桌上。第二年,八位年轻的科学家从美国东部相继来到硅谷,加盟肖克利实验室。他们是:诺依斯(N. Noyce)、摩尔(R.Moore)、布兰克(J.Blank)、克莱尔(E.Kliner)、赫尔尼(J.Hoerni)、拉斯特(J.Last)、罗伯茨(S.Boberts)和格里尼克(V.Grinich)。他们的年龄都在30岁以下,风华正茂,学有所成,都正处在创造能力的巅峰。他们之中,有获得过双博士学位者,有来自大公司的工程师,有著名大学的研究员和教授,这也是当年美国西部从来没有过的英才大集合。29岁的诺依斯是八人之中的长者,也是"投奔"肖克利最坚定的一位。当他飞抵旧金山后所做的第一件事,就是倾囊为自己下一所住所,决定永久性定居,根本就没有考虑到工作环境、条件和待遇。其他七位青年,来硅谷的经历与诺依斯大抵相似。
可惜,肖克利是天才的科学家,却缺乏经营能力;他雄心勃勃,但对管理一窍不通。特曼曾评论说:"肖克利在才华横溢的年轻人眼里是非常有吸引力的人物,但他们又很难跟他共事。"一年之中,实验室没有研制出任何象样的产品。八位青年瞒着肖克利开始计划出走。在诺依斯带领下,他们向肖克利递交了辞职书。肖克利怒不可遏地骂他们是“八叛逆”(The Traitorous Eight)。青年人面面相觑,但还是义无反顾离开了那个让他们慕名而来,之后又相聚在一起的“伯乐”。不过,后来就连肖克利本人也改口把他们称为“八个天才的叛逆”。在硅谷许多著作书刊中,“八叛逆”的照片与惠普的车库照片属于同一级别,具有同样的历史价值。
编辑本段发展历程诞生“八叛逆”找到了一家纽约的摄影器材公司来给他们投资创业,这家公司名称为Fairchild,音译“费尔柴尔德”,但通常意译为“仙童”。费尔柴尔德不仅是企业家,也是发明家。他的发明主要在航空领域,包括密封舱飞机、折叠机翼等等。由于产品非常畅销,他在1936年将公司一分为二,而其中生产照相机和电子设备的就是仙童摄影器材公司。当“八叛逆”向他寻求合作的时候,已经60多岁的费尔柴尔德先生仅仅给他们提供了3600美元的创业基金,要求他们开发和生产商业半导体器件,并享有两年的购买特权。于是,“八叛逆”创办的企业被正式命名为仙童半导体公司,“仙童”之首自然是诺依斯。1957年10月,仙童半导体公司在硅谷嘹望山查尔斯顿路租下一间小屋,距离肖克利实验室和距离当初惠普公司的汽车库差不多远。“仙童”们商议要制造一种双扩散基型晶体管,以便用硅来取代传统的锗材料,这是他们在肖克利实验室尚未完成却又不受肖克利重视的项目。费尔柴尔德摄影器材公司答应提供财力,总额为150万美元。诺依斯给伙伴们分了工,由赫尔尼和摩尔负责研究新的扩散工艺,而他自己则与拉斯特一起专攻平面照相技术。
发展1958年1月,蓝色巨人 IBM公司给了他们第一张订单,订购100个硅晶体管,用于该公司电脑的存储器。到1958年底,“八叛逆”的小小公司已经拥有50万销售额和100名员工,依靠技术创新的优势,一举成为硅谷成长最快的公司。
仙童半导体公司在诺依斯精心运筹下,业务迅速地发展,同时,一整套制造晶体管的平面处理技术也日趋成熟。天才科学家赫尔尼是众"仙童"中的佼佼者,他像变魔术一般把硅表面的氧化层挤压到最大限度。仙童公司制造晶体管的方法也与众不同,他们首先把具有半导体性质的杂质扩散到高纯度硅片上,然而在掩模上绘好晶体管结构,用照相制版的方法缩小,将结构显影在硅片表面氧化层,再用光刻法去掉不需要的部分。扩散、掩模、照相、光刻,整个过程叫做平面处理技术,它标志着硅晶体管批量生产的一大飞跃,也为"仙童"打开了一扇奇妙的大门,使他们看到了一个无底的深渊:用这种方法既然能做一个晶体管,为什么不能做它几十个、几百个,乃至成千上万呢?1959年1月23日,诺依斯在日记里详细地记录了这一最伟大也被当时的人们看作是最疯狂的设想。
1959年2月,德克萨斯仪器公司(TI)工程师基尔比(J.kilby)申请第一个集成电路发明专利的消息传来,诺依斯十分震惊。他当即召集“八叛逆”商议对策。基尔比在TI公司面临的难题,比如在硅片上进行两次扩散和导线互相连接等等,正是仙童半导体公司的拿手好戏。诺依斯提出:可以用蒸发沉积金属的方法代替热焊接导线,这是解决元件相互连接的最好途径。仙童半导体公司开始奋起疾追。1959年7月30日,他们也向美国专利局申请了专利。为争夺集成电路的发明权,两家公司开始旷日持久的争执。1966年,基尔比和诺依斯同时被富兰克林学会授予“巴兰丁”奖章,基尔比被誉为“第一块集成电路的发明家”,而诺依斯被誉为“提出了适合于工业生产的集成电路理论”的人。1969年,法院最后的判决下达,也从法律上实际承认了集成电路是一项同时的发明。
1960年,仙童半导体公司取得进一步的发展和成功。由于发明集成电路使它的名声大振,母公司费尔柴尔德摄影器材公司决定以300万美元购买其股权,“八叛逆”每人拥有了价值25万美元的股票。1964年,仙童半导体公司创始人之一摩尔博士,以三页纸的短小篇幅,发表了一个奇特的定律。摩尔天才地预言说道,集成电路上能被集成的晶体管数目,将会以每18个月翻一番的速度稳定增长,并在今后数十年内保持着这种势头。摩尔所作的这个预言,因后来集成电路的发展而得以证明,并在较长时期保持了它的有效性,被人誉为“摩尔定律”,成为IT产业的“ 第一定律”。
没落60年代的仙童半导体公司进入了它的黄金时期。到1967年,公司营业额已接近2亿美元,在当时可以说是天文数字。据那一年进入该公司的虞有澄博士(现英特尔公司华裔副总裁)回忆说:“进入仙童公司,就等于跨进了硅谷半导体工业的大门。”然而,也就是在这一时期,仙童公司也开始孕育着危机。母公司总经理不断把利润转移到东海岸,去支持费尔柴尔德摄影器材公司的盈利水平。在目睹了母公司的不公平之后,“八叛逆”中的赫尔尼、罗伯茨和克莱尔首先负气出走,成立了阿内尔科公司。据说,赫尔尼后来创办的新公司达12家之多。随后,“八叛逆”另一成员格拉斯也带着几个人脱离仙童创办西格奈蒂克斯半导体公司。从此,纷纷涌进仙童的大批人才精英,又纷纷出走自行创业。结果人才纷纷离仙童而去,最终仙童中的斯波克将NSC弄成了全球第六大半导体厂商,桑德斯创立了AMD,而诺依斯和摩尔则创立了INTEL(英特尔),而这就是仙童的整个历程。[1]
编辑本段公司影响“仙童”,一个永远让世人铭记和仰慕的名字,一个对半导体界乃至全世界作出了后人无法企及的贡献。引用苹果总裁乔布斯的一句话:“仙童半导体公司就象个成熟了的蒲公英,你一吹它,这种创业精神的种子就随风四处飘扬了。”仙童半导体拥有与众不同的晶体管制作方式,扩散、掩模、照相、光刻,整个过程叫做平面处理技术,它标志着硅晶体管批量生产的一大飞跃。在1969年的半导体工程师大会,400位与会者中只有24位的履历表上没有在仙童公司的工作的经历。
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