半导体存储器有几类，分别有什么特点？

1、随机存储器

对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。

特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。

2、只读存储器

用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。

特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。

3、串行存储器

它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。

特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。

扩展资料：

半导体存储器优点

1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。

2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。

3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。

参考资料来源：百度百科-半导体集成存储器

按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）

RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。

ROM 主要用于BIOS存储器。 可分为：静态和动态两种。

其

半导体存储器分rom和ram

rom只读存储器

只能读，不能写，断电后信息不会丢失，属非易性存储器,rom又分为

1、掩膜rom：由生产厂商用掩膜技术将程序写入其中，适用于大批量生产

2、可编程rom（prom或otp）：由用户自行写入程序，一旦写入，不能修改，适用于小批量生产

3、可擦除可编程rom（

eprom

）：可由用户自行写入，写入后，可用紫外线光照擦除重新写新的程序，适用于科研

4、电可擦除rom（eeprom）：可用电信号擦除和重新写入的存储器，适用于断电保护

ram

随机存取存储器

既能读，又能写，断电后信息会丢失，属易失性存储器

ram用于存放各种现场的输入输出程序，数据，中间结果。ram又分为静态ram，动态ram

1、静态ram（sram）：利用半导体触发器两个稳定的状态表示0或1

静态ram又分为双极型的sram和mos管的sram

双极型的sram：用晶体管触发器作为记忆单元

mos管的sram：由6个mos管作为记忆单元

双极双极型的sram型速度快，

mos管速度慢，不需要刷新

2、动态ram（dram）：利用mos管的栅极电容保存信静态ram息，即电荷的多少表示0和1。

动态ram需要进行刷新 *** 作

存储器容量可以表示成2^n,n为地址线的数目

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