stir序列是t1也是t2。
T1是纵向的弛豫时间,T2是横向的弛豫时间。
在任何序列图像上,信号采集时刻横向的磁化矢量越大,MR信号越强。T1加权像 短TR、短TE--T1加权像,T1像特点:组织的T1越短,恢复越快,信号就越强;组织的T1越长,恢复越慢,信号就越弱。
T2加权像 长TR、长TE--T2加权像, T2像特点:组织的T2越长,恢复越慢,信号就越强;组织的T2越短,恢复越快,信号就越弱。
如果T1WI上的高信号是来自脂肪或T1值与脂肪相同的组织,应用此序列后,其信号强度降低。关于反转恢复序列,另可参阅FLAIR。
半导体晶圆表面平坦度参数之一:
TIR:(Total Indicator Reading):晶圆表面平坦度与参考平面间最高到最低的距离。
STIR: (Site Total Indicator Reading):局部TIR值,制造16mbit DRAM时,一般site尺寸为20mm× 20mm。
平坦度平坦度是指某一通道的R.在信号范围内的变化量.
隔离度
隔离度定义为:CoffCon=εrg0h+1(5)
由式(5)可知,εr和g0在相同结构中,减小h有利于获得较高的隔离度.以上分析表明,通过减小微波传输线的衬底电介质料的厚度h,可以达到降低插入损耗以及提高隔离度的目的
插损
全称:插入损耗,是以db(分贝)的形式表示的一种光能量在透射插入器件后的出射光强与入射光强的比值。
插入损耗的定义是开关处于导通状态时传到负载的实际功率与理想开关传到负载的功率比,隔离度定义为开关处于断开时的传输功率与处于导通时的传输功率比,通常用dB为单位
http://define.cnki.net/WebForms/WebDefines.aspx?searchword=平坦度
http://define.cnki.net/WebForms/WebDefines.aspx?searchword=隔离度
http://define.cnki.net/WebForms/WebDefines.aspx?searchword=隔离度
http://z.baidu.com/question/53315406.html
不知道能不能帮到你……
Anyway,加油……
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