三氯化氟的分子构型如下:
三氟化氯分子式为ClF₃,分子量为92.45。
有毒,有强腐蚀性,常温下为无色气体,降温变为绿色液体。可用作氟化剂、燃烧剂、推进剂中的氧化剂、高温金属的切割油等。
ClF3形状大致是T形, 有一个短键(1.598Å)和两个长键(1.698Å),孤对电子占据两个赤道位置,与共价键一起形成一个三角双锥,这种结构与价层电子对互斥理论的预测一致,较长的Cl-F键与超价键一致。
扩展资料:
1、ClF3主要用来生产六氟化铀(UF6),以及核燃料加工和后期处理,主要反应方程式:
U + 3 ClF3→ UF6+ 3 ClF
2、在半导体工业中,三氟化氯被用于清洁化学气相沉积的反应舱。它具有不需拆卸反应舱就可以清除舱壁附着的半导体物质这一优点。与其它代替的清洁剂不同,三氟化氯在使用前不需经过等离子体激化,因为反应舱残存的热量就足以使它分解并与半导体材料反应。
个人觉得是三氟化氯。
一开始他们打算每个月生产90吨,但最后整个二战期间他们也只制造了大约30吨。他们制造出的这种物质是三氟化氯,人类所知的最剧烈的氟化剂。氟化剂会打破分子结构, 然后用氟取代原来的氢原子。产生的结果被化学家称为“剧烈的放热反应”,也就是氟火。
氟火处理起来 ,甚至比氟气还要危险得多。任何有化学学位的人都会如此告诉你,当然这句话他们不会有机会经常讲。
氟也是比氧更好的氧化剂,氧化剂是一种化合物 ,它在氧化反应中会从别的化学物质中偷取电子。它们也是燃烧的必要条件,三氟化氯则厉害到会让常人看来无法起火的东西烧起来。比如砖块, 石棉或者其他已经燃烧过了的东西。
氧化剂也常被用来为火箭燃料点火,曾有很短一段时间美国的火箭专家们还考虑用它来做推进剂,但马上他们就意识到这个想法不可取。
20世纪50年代初, 美国科学家首次尝试大量运输三氟化氯。结果钢罐爆裂 ,整整一吨三氯化氟溢出去。燃烧温度非常之高以致于“吃掉”了一整层混凝土地面,以及底下一米深的泥土和碎石。一名目击者形容这场溢出事故时只说了一句话,混凝土……烧起来了。
如今三氟化氯还在生产并被半导体公司用来清洁设备,以极其小心的方式。好消息是 ,人们还是能用常规的钢桶把它安全地储存起来,前提是必须密封, 而且你得非常非常小心。因为它会马上烧焦容器的内侧,然后剩下一层不反应的金属氟化物电镀薄膜。
危害
ClF3是一种很强氧化剂和氟化剂。它能大多数有机和无机材料甚至塑料反应,可以使许多材料不接触火源就燃烧。这些反应通常很剧烈,在某些情况下甚至会爆炸。
它与一些金属反应生成氯化物和氟化物,与磷反应生成三氯化磷和五氟化磷,而与硫反应生成二氯化硫和四氟化硫。ClF3也与水剧烈反应,水解产生有毒物质,例如氟化氢。H2S在室温下与ClF3混合就会爆炸。
能够超越氧气的氧化能力导致对含氧材料的腐蚀性,这些材料通常被认为不可燃的。在一工业意外中,900 kg的ClF3泄漏把自身烧通30厘米的混凝土和90厘米的砾石。任何和三氟化氯接触的设备,必须仔细挑选和清洁,因为任何污染可以点燃接触物。
镓(Gallium),灰蓝色或银白色的金属,符号Ga,原子量69.723,外围电子排布4s24p1,位于第四周期第ⅢA族。镓,熔点29.76℃,沸点2403℃,硬度1.5~2.5。
受热至熔点时变为液体,液态镓很容易过冷,即冷却至0℃而不固化。
过冷,温度低于凝固点但仍不凝固或结晶的液体称为过冷液体。过冷液体是不稳定的,只要投入少许该物质的晶体,便能诱发结晶,并使过冷液体的温度回升到凝固点。这种在微小扰动下就会很快转变的不稳定状态称为亚稳态。
液态镓的宽温度范围以及它很低的蒸汽压使它可以用于高温温度计和高温压力计。
镓在干燥空气中较稳定并生成氧化物薄膜阻止继续氧化,在潮湿空气中失去光泽。
微溶于汞,形成镓汞齐。镓铟合金可用于汞的替代品。
镓由液体转变为固体时,其体积约增大3.2%。由于液态镓的密度高于固体密度,凝固时体积膨胀,而且熔点很低,储存时会不断地熔化凝固,使用玻璃储存会撑破瓶子和浸润玻璃造成浪费。镓能浸润玻璃,故不宜使用玻璃容器存放。综上,镓适合使用塑料瓶(不能盛满)储存。
……
经典科幻电影《终结者2》里的“T-1000”液态金属机器人的变形能力至今令人印象深刻。
2014年9月23日,美国北卡罗来纳州一个科研团队日前研发出一种可进行自我修复的变形液态金属,距离打造“终结者”变形机器人的目标更进一步。
科学家们使用镓和铟合金合成液态金属,形成一种固溶合金,在室温下就可以成为液态,表面张力为每米500毫牛顿。
这意味着,在不受外力情况下,当这种合金被放在平坦桌面上时会保持一个几乎完美的圆球不变。
氮化镓的分子式为GaN,是半导体行业内公认的一种第三代半导体材料。
目前,GaN的应用主要集中在功率、光电和射频等领域。
其中,蓝宝石基氮化镓广泛被用来做LED,硅基氮化镓用来做功率器件,碳化硅基氮化镓广泛用于射频领域。
与硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的第一、二代半导体材料相比,GaN具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电压以及更快的饱和电子漂移速率等物理性质。
“我特别特别喜欢这个GaN(氮化镓)充电器,摄影师来多拍几张照片。”在小米10手机的在线发布会上,雷军丝毫没有掩饰对小米GaN充电器的喜爱。
小米打出GaN牌后,“友商们”纷纷跟进。
realme在真我X50 Pro发布会上,官宣全系标配GaN充电器,华为、三星、苹果等均释放出将使用GaN充电设备的信号。
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