中科院半导体所博士几年毕业

中科院半导体所博士3年毕业，因为博士研究生基本学习年限为3年，硕、博连读生和提前攻博生为5年。 对于确因客观原因等不能在学制规定时间内按期毕业的博士研究生，根据学习和论文工作完成情况，需要在应毕业的当年4月30日前填写“延期毕业申请表”，经导师同意、所在实验室批准后，报研究生部递交主管所领导审批，可延长三个月、半年至一年的论文工作时间，申请材料由研究生部存档备案。

延期一年仍不能毕业的博士研究生，需要在当年4月30日前向研究生部提交“延期毕业研究生论文工作情况检查表” ；研究生部组织考核小组进行考核，考核结果上报学科小组签署意见后报告给所学位评定委员会。如果研究生的学位论文工作经考评被认为不适合继续进行或研究生本人无能力完成，应按照研究生肄业办理终止学籍手续。

提前完成学业，德、智、体全面合格者，按有关规定可提前毕业，但一般情况下，最多只能提前半年。

　 延期申请获得批准后，在延长期内学生的所有费用由导师承担，助学金是否发放以及发放标准由导师确定。

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

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