半导体二极管各项参数测试原理是什么？

VB即反向崩溃电压，主要测试该产品在多大电压会崩溃，主要是考虑产品可以 *** 作在多大电压或多大电流

VF即顺向电压，给一个顺向电流测起两端电压，简单的可以说是为了测试产品焊线是否正常

IR即反向电流或漏电流，给一个反向电压测其电流，漏电流应该很小才合理，一般是nA等级

TRR这个我没有用到过，不好意思

望采纳

这个参数是双极型晶体管（也就是三极管）中的临界饱和电压，它反映放大状态和饱和状态的临界点在UCE上的反映。

这个参数在小功率三极管上，大概是0.6-0.7V，大功率三极管可以达到2-3V，这个参数会影响三极管作为功率放大输出时的效率，同等条件下，数字越大，效率越低。

1、Tj是指工作温度范围，存储温度范围，（PN）结温（即管芯内部温度）范围；是衡量芯片受环境温度影响的参数 ，你问的就是它的PN结温是150度。2、Tj通俗一点说就是IGBT管子内部的温度，另外有一个参数是Tc，这个指的是壳温，就是IGBT外部包封的温度。3、比如说我要在-20度到80度之间使用芯片，那么符合条件的芯片的工作温度就必须使用工业级芯片-40～85度。

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