“半导体厂”、“芯片厂”和“半导体厂”对人有辐射？他们对环境有污染吗？

1、污染肯定有。\x0d\x0a2、半导体厂主要生产半导体原材料，比较高纯度的硅，在提炼硅的时候，可能存在空气和水污染。空气污染主要来源于在处理过程中挥发出来的酸性气体，水污染除了有加工使用的化学物质外，还可能带来重金属的污染。\x0d\x0a3、芯片厂主要是光刻、封装这块。可能存在的污染也包括空气和水两部分，相对来说，光刻这块水污染的可能性更大一些，而封装这块，由于存在电镀，主要以空气、水污染为主。\x0d\x0a4、污染大小关键要看企业环保控制力度大小，我参观过一些半导体和芯片封装企业，他们外部看到的污染情况，其实远比一般企业（比如机械加工企业）要小，无论是噪音，空气还是水这块。原因是半导体产品的价值含量很高，特别是光刻这块，小小一盒半导体芯片（类似大号光盘盒子一样）可能就价值几十万上百万。\x0d\x0a5、辐射污染，如果你后面不是直接挨着配电房的话，应该问题不大。如果挨着的，辐射污染也可能有。因为半导体产业这块，用电很大，而辐射的大小其实跟用电有很大关系。\x0d\x0a世界上最大型的半导体企业，比如美国的德州仪器（TI）公司，就把生产企业安排在远离人群居住的地方，主要也是污染的原因，可以想象，这种企业潜在的污染还是大的。

苏州国芯科技有限公司、上海交大创奇信息安全芯片科技有限公司、上海明证软件技术有限公司、无锡国家集成电路设计基地有限公司等。

SEMI最新版的全球集成电路制造厂预测报告揭示，半导体厂2010年的支出预计将上升至300多亿美元，较2009年同比增长88%。不少代工厂和存储器公司在过去的几个月内宣布了增加资本开支的计划。

此外，一部分之前“冻结”的项目也将陆续解冻，例如，TI的RFAB、TSMC12厂5期和UMC12A厂3/4期(前12B厂)以及三星的第16生产线和IM在新加坡的闪存工厂。SEMI的全球集成电路制造厂观测报告也揭示了一批即将破土动工的新建芯片制造厂的计划，如TSMC14厂的第4期、可能动工的FlashAlliance的5厂及其他。

当然即使2010年的支出已呈大幅度增长态势，前道fab厂的支出仍需在2011年增长至少49%，才能使得设备支出回到2007年的水平。此外，设备的支出计划也取决于全球经济的持续复苏情况。SEMI全球集成电路制造厂观测报告(SEMIWorldFabForecast)预测，2011年前道fab的支出额将略逊于2007年，达到423亿美元。

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在当今世界 科技 全球化的发展中，经济的发展越来越智能化、数字化。各行各业的部门运营都离不开电子设备，而芯片作为电子设备的运转核心，是相当重要的组成部分。

可以说芯片对于机器的重要性，相当于大脑对于人类的重要性一样，确定人类失去生命体征的信息不是心跳停止，而是脑死亡，机器也是一样，没有芯片，机器也就失去“活性”。

但由于电子产业在近两年来的快速发展，芯片的供应已经跟不上市场需求的剧增，全球迎来了“缺芯”局面。对此很多芯片工厂纷纷加大产程。

大家知道芯片的制造对于高端光刻机的依赖是很大的。尤其是7nm制程以下的芯片，如果没有EUV光刻机是几乎无法实现量产，而EUV的制造工艺则为ASML公司所垄断。

但由于“芯片规则”的修改，ASML的光刻机有一部分用到了美方的技术，由于技术限制ASML无法对我们自由出货。在2019年我国就向ASML公司耗资十亿人民币订购了一台EUV光刻机，但由于各种原因，这台光刻机到现在都未能在我国落地。

在目前全球缺芯的大背景下，我们的芯片供应自然也是紧缺的，在这档口芯片供应又被“卡了脖子”，我们的处境更是艰难。

虽然ASML表示除了EUV光刻机外其他的光刻设备都能对我们自由出货，但这远远不够。

越是精密的设备对于芯片的精密度要求就越高。如手机需要的芯片至少是7nm制程以下，不仅要求体积小，还要求高性能，运行稳定，有优秀的信息连接和反馈效率。

从我们的手机市场来看，我们对于7nm制程以下芯片的需求量是巨大的，半导体设备国产化已经迫在眉睫。

这有多重要从华为的遭遇就能看得出来，自从5G芯片被断供之后，作为主营业务的手机销售一落千丈，不仅已经推出的手机开始缺货，新的5G手机也迟迟无法发布。

但说实话，EUV光刻机的制造不是凭借努力钻研或者大量投资就能实现的。我们从来不怕困难不怕吃苦，我们国家的经济实力也有目共睹，如果能用钱解决的事那都不叫事。

难点在于EUV光刻机关键的零部件就多达十多万，其中还包含一些电子特气。给ASML提供光刻设备零部件的企业就多达5000多家，遍布世界40多个国家。

如此强大的供应链整合能力目前除了ASML还没有谁能做到。这也是为什么ASML的高层会说，即使把光刻机的设计图纸放出来也没人能造出来。虽然听起来太过自信，但也不是全无道理。

芯片的制造过程包含了刻蚀、光刻、离子注入和清洗等多种工艺，这些过程都需要相应的设备来完成，并不只是需要光刻机。

我国在这些方面都一直在努力。目前我们28nm制程芯片的生产工艺已经很成熟了，完全可以满足国内需求，主要就是7nm以下的高端芯片问题还未解决。

根据媒体4月7日消息，郑州轨道交通信息技术研究院成功研发出了全自动12寸晶圆激光开槽设备。除了具备常规的激光开槽功能之外，还能够支持120微米以下超薄wafe的全切工艺，以及支持5nm DBG工艺。

这套设备采用的是模块化设计，能够支持纳秒、皮秒、飞秒等不同脉宽的激光器。完全自主研发的光学系统，光斑宽度及长度都能够自由调节，超高精度运动控制平台技术与其完美结合，极大减少了设备对材质、晶向、厚度以及电阻率的限制难题。

全兼容的工艺使产品的破损率得到了有效的控制，良品率得到了很大的提升。

轨交院的研发团队对这项技术难题的攻克，表示了我们在5nm芯片工艺上取得了重大突破，晶圆加工工艺达到了新高度。证明了我国在晶圆激光切割领域的强大研发实力。

完全的自主研发系统更是实现了高度自主化，无惧技术限制。

未来的芯片精度只会越来越高，现在国内很多芯片厂商为了摆脱技术限制开始研发新的芯片封装工艺。这项切割技术的研发也将助力国内的“小芯片”封装工艺，帮助这些芯片厂家提升工艺水平。

这对于我国先进制程的芯片发展具有里程碑式的意义。

对于我们的国产化芯片设备制造技术大家有什么想法呢？欢迎在评论区互相交流。

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