薄膜测厚仪的测量原理是什么？精度可以达到多少？

在被测量的薄膜上垂直照射可视光，光的一部分在膜的表面反射，另一部分透进薄膜，然后在膜与底层之间的界面反射，薄膜表面反射的光和薄膜底部反射的光产生干涉现象。利用白光干涉测量法的原理，它用一个宽波段的光源来测得不同波长的反射数据，由于反射率n和k随薄膜的不同而变化，根据这一特性进行曲线拟合从而求得膜厚。不同类型材料的相应参数通过不同的模型来描述，从而保证了不同类型材料膜厚测量的准确性。

大成精密设备薄膜测厚仪采用非放射性先进测量技术，是测量隔膜厚度的理想解决方案。

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；

2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；

3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；

4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；

5，其他根据芯片特性的测试。

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