我国半导体行业的分布特点或者分布区%

半导体 在中国是属于广泛分布， 主要集中在大陆的沿海地带，台湾， 内地就主要有重庆 成都 和山西的西安， 大连也是晶圆生产基地。

沿海 城市的代表 就是无锡和上海，无锡发展的时间相当长，是中国的半导体 发迹的地方，而且外资很集中，人才优势特别明显，这是外资特别青睐的一大原因，有意法半导体，海力士半导体，嘉盛半导体等等为代表， 上海的代表就是台积电为代表， 大连的代表就是英特尔前道工艺工厂，山西 三星半导体，成都是内地最好的 英特尔的封装 芯片都是这里做的 规模很大 全世界的移动处理器都这里生产，政府也引入很其它大规模的半导体工厂，特别是光伏半导体，保税区和电子科大让成都的竞争力非常大，对于无锡这些发展很完善的城市来说这里跟我潜力，最后一个是重庆 有微电子产业园，这是新市长的战略统筹，有中芯微 海力士 和各种oem 企业，有一定竞争力假以时日和成都技术交流可以促进 规模扩大，有远见的企业一定会在这里有动作

随着对半导体产业重视程度的不断加深，近年来我国芯片产量也在不断创新高——2021年前两个月，芯片产量大幅增长至532.8亿块，同比增速更是高达79.8%，远超其他各国、地区的增速，领跑全球。

前三名：江苏、甘肃、广东

分地区来看，今年前2个月，江苏省的芯片产量依旧排在各省份之首——总量达到173.145亿块，与去年同期的107.399亿块相比，同比增速也达到了61.2%。据报道，进入21世纪后，江苏省抓住了国际半导体产业转移的历史机遇。

不仅相继引进了台积电、华虹无锡等重大项目，而且推动了国内相关企业的快速发展，使得江苏省成为全国最重要的集成电路（即芯片）产业聚集区，涉及设计、制造、测试、封装等完整产业链能力。

甘肃省继续排第二名。前2个月的芯片产量上涨至99.41亿块（如上图），与去年同期的42.24亿块相比，同比增速高达125.3%。其中的代表企业是“天水华天科技”和“天水天光集成电路厂”。此外还拥有10个国家重点实验室、5个国家工程技术研究中心等。

南生注意到，不仅是芯片，甘肃省的规模以上工业增加值在前2个月也实现了17.0%的同比增长，社会消费品零售总额同比增速也高达34.3%，全省固定资产投资同比增长28.8%……，一季度甘肃经济增速预计将很高啊。

第三名依然是广东省，前2个月的芯片产量达到83亿块，去年同期是36.6亿块，增速也高达126.7%——与甘肃省一样，芯片产量实现翻倍增长。南生注意到，广东省芯片优势更加集中在设计领域。

当前已经在布局毫米波芯片、太赫兹芯片等，将围绕芯片架构、优势芯片产品、第三代半导体、先进封装技术等方向开展关键核心技术攻关。但在制造领域相对不足，需要培养和引入更多先进生产线。

上海、浙江、北京、四川……

数据显示：2021年前2个月，上海市的芯片产量超过55亿块，去年同期是36.34亿块，同比增长52.3%；浙江省的芯片产量上涨至33.423亿块，去年同期是17亿块，同比大增96.5%；北京市的芯片产量超过了32亿块，去年同期是21.69亿块，同比增长48.3%。

四川省芯片产量超过20亿块，去年同期是11.12亿块，同比大增84.8%；重庆市的芯片产量超过8.4亿块，陕西省超过7.86亿块，天津市超过4.46亿块，山东省接近3.9亿块，福建省超过3亿块，湖南省超过2.4亿块……

总之，前两个月我国各省份的芯片产量均实现较大的增长，全球芯片产能进一步向我国聚集。相信，随着各项投入的不断提升，随着核心技术的不断突破，我国半导体产业将迎来发展的高峰期。本文由【南生】整理并撰写，无授权请勿转载、抄袭！

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、士兰微(600460)、闻泰科技(600745)、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)等。

本文核心数据：第三代半导体分类、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频市场规模

行业概况

1、定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)，其中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。

2、产业链剖析：产业链涉及多个环节

第三代半导体产业链分为上游原材料供应，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。上游原材料包括衬底和外延片中游包括第三代版奥体设计、晶圆制造和封装测试下游为第三代半导体器件应用，包括微波射频器件、电力电子器件和光电子器件等。中国第三代半导体行业产业链如下：

第三代产业链各个环节国内均有企业涉足。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳、维微科技、科恒晶体、镓铝光电等等从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等从事第三代半导体器件的厂商较多，包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。

行业发展历程：兴起的时间较短

中国第三代半导体兴起的时间较短，2013年，科技部863计划首次阿静第三代半导体产业列为国战战略发展产业。

2016年，为第三代半导体发展元年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点，国内企业扩大第三半导体研发项目投资，行业进入快速发展期。

2018年1月，中车时代电气建成国内第一条6 英寸碳化硅生产线2018年，泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线2019年9月，三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延芯片产线并投入量产。在2020年7月，华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

2020年9月，第三代半导体写入“十四五”规划，行业被推向风口。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元，较2019年同比增长69.5%。

其中，SiC、GaN电子电力产值规模达44.7亿元，同比增长54%GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算 6 英寸产能约为22万片/年。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品依赖进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模接近50亿元

2017-2020年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长，2020年，SiC、GaN电力电子器件应用市场规模为46.8亿元，同比增长90%。

2020年，我国半导体分立器件的市场规模约3002.6亿元，SiC、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1.56%。

目前，GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车充电桩领域的渗透快于整车市场，占比达38%消费类电源(PFC)占22%光伏逆变器占了15%工业及商业电源、不间断电源UPS、快充电源、工业电机分别占6%、3%、3%、1%。

2020年，我国GaN微波射频器件市场规模约为66.1亿元，同比增长57.2%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53%其次是无线基础设施，下游市场占比为36%。

行业竞争格局

1、区域竞争格局：江苏省第三代半导体代表性企业分布最多

当前，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。

从我国第三代半导体行业产业链企业区域分布来看，第三代半导体行业产业链企业在全国绝大多数省份均有分布。其中河南省第三代半导体企业数量分布最多，同时山东、江苏和甘肃等省份企业数量也相对集中。

从代表性企业分布情况来看，江苏省第三代半导体代表性企业分布最多，如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。

2、企业竞争格局：主流企业加速扩张布局

经过初期的发展，第三代半导体迅速在新能源汽车、5G基站、PD快充等领域应用，市场规模增长迅速。同时，行业内的竞争也逐渐加剧。为了迎合市场需求，抢占市场地位，国内主流半导体企业均加强在第三代半导体产业的布局，扩充第三代半导体的产能。其中，代表性的主流企业有三安光电、中电科55所、泰科天润等。

行业发展前景及趋势预测

1、2025年行业规模有望超过500亿元

第三代半导体已经写入“十四五”规划。在国家政策的支持和下游需求增长的背景下，预计到2021-2025年，我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2025年的近300亿元GaN微波射频器件市场规模将以25.4%的年均复合增长率增长至2025年的205亿元。2025年第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。

2、国产化进程将加速

未来，在市场竞争趋势方面，我国第三代半导体行业国产化率将会加深在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。

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