光子学产生产生太赫兹的方法有太赫兹光电导天线,光学整流,非线性差频等。光子学产生太赫兹的原理是利用激光脉冲激发一些窄带隙的半导体,由于其表明激发的载流子分布的纵向非对称性,会引起宏观的电荷运动,从而激发太赫兹辐射。太赫兹科学技术是近十几二十年发展起来的新的科学技术,其在物体成像、医疗诊断、宽带和卫星通讯等方面都有很大的应用价值,但是由于太赫兹波的产生和探测的技术尚未成熟,大大制约了其发展。
太赫兹的介绍
半导体太赫兹辐射源,半导体辐射太赫兹的原理可以归结为两个方面,即光生丹倍效应和表面电场效应,光生丹倍效应是利用激光脉冲激发一些窄带隙的半导体,由于其表明激发的载流子分布的纵向非对称性,会引起宏观的电荷运动,从而激发太赫兹辐射。
表面电场效应是对于某些带隙比较宽的半导体,其表面存在表面态,由于表面和内部的费米能级不一致,会产生表面电场,由于这个电场的存在,被激光激发的载流子会产生瞬态电流,从而形成太赫兹辐射。
太赫兹是光原料做出来的。
太赫兹是一种辐射源,其波段能够覆盖半导体、等离子体、有机生物体和大分子等物质的特征谱。太赫兹的光波来自宇宙,拥有和光一样的性质,具有穿透、吸收性。太赫兹可以用来制作成像技术和波谱技术,由于其能量较小,不会对物质产生破坏作用。
太赫兹的特点
太赫兹又被称为太赫,或者是太拉赫兹,是在上个世纪八十年代中后期才被命名的,以前被称之为远红外射线。太赫兹的光波来自宇宙,拥有与光相同的性质,具有穿透、吸收性。
太赫兹是一种新的、有特点的辐射源,太赫兹可以用来制作太赫兹成像技术和波谱技术,同时由于太赫兹的能量比较的小,是不会对物质产生破坏作用的。
太赫兹脉冲的典型脉宽在皮秒量级,不但可以方便地对各种材料包括液体、半导体、超导体、生物样品等进行时间分辨的研究。
而且通过取样测量技术,能够有效地抑制背景辐射噪声的干扰。目前,辐射强度测量的信噪比可以大于10^4,远远高于傅立叶变换红外光谱技术,而且其稳定性更好。
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