塑料封装集成电路的塑料如何熔化

塑料封装集成电路的塑料如何熔化,第1张

当具有诸如分层等可靠性缺陷的微电子器件焊接在线路板上,通过回流焊时会产生塑封体裂缝、塑封体鼓胀等重要缺陷。粘片胶未充分固化、水汽未完全排除、环境湿气较大易吸湿等原因导致水汽沿着塑封体与引线引脚向内部扩散。表现为各结合面的分层,粘片胶与芯片之间、塑封体与引线之间、塑封体与芯片之间,各种分层在快速加热产生的热应力下水汽快速膨胀,从而引起器件可靠性隐患。

1 引言

近年来,塑料封装以其低廉的成本,在电子整机产品中得到广泛应用,代替陶瓷封装和金属封装成为封装业的主流,同时塑料封装集成电路的产品可靠性也不断提升,几乎可以与军工产品相媲美。集成电路常规塑料封装过程中,由于芯片始终要和粘片胶相结合,如果粘片胶内部湿气未完全排除,塑封集成电路就会存在可靠性隐患,比如芯片分层、粘片胶分层等。芯片分层已有很多研究,不再讨论,这里主要分析粘片胶分层对产品可靠性的影响。集成电路塑料封装粘片胶高温固化时间不够,不能将高温粘片胶中的水汽完全排出,使得产品受热时高温粘片胶中的水汽迅速膨胀,引起分层甚至产品爆裂,导致产品可靠性降低甚至失效。

2 分层原因分析

在集成电路封装过程中,高温粘片胶固化时间不足导致粘片胶固化不充分会影响产品可靠性,具体现象如下:在回流焊过程中,部分封装产品会出现封装体底部有凸起现象而导致电路虚焊。对产品进行回流焊实验,回流焊温度为 250 ℃,回流焊过程总时间为 7min,其中温度在 175 ℃以上的时间为 2 min,当采用热吹q加热到 270 ℃时,产品底部出现“鼓包裂开”。针对上述问题,需对样品进行分析、验证,并总结失效机理,制定预防改善措施,对产品先进行非破坏性分析和破坏性分析。

2.1 外观检查

对封装产品的外观进行检测,发现正常产品的底部平整,异常产品封装体的底部出现开裂现象,具体情况如图 1 所示。

2.2 X-Ray 透视分析

X-Ray 检查是指利用高电压撞击靶材产生 X 射线穿透,来检测电子元器件、半导体封装产品内部结构构造品质以及 SMT 各类型焊点焊接质量等。对失效封装体底部开裂产品进行 X-Ray 检查,如图 2 所示,发现产品焊线良好。

2.3 SAT 扫描分析

SAM(Scanning Acoustic Microscope) 又被称作SAT (Scanning Acoustic Tomography),同 X-Ray 一样,也是半导体行业用的非接触性检测工具之一,可对 IC封装内部结构进行非破坏性检测,能有效检出因水汽或热能所造成的各种破坏,如填胶中的裂缝、封装材料内部的气孔等。对封装体底部开裂产品进行超声扫描(反射)检查,如图 3 所示,圈出区域表示有分层,发现产品的芯片表面和引线框架打线区域未出现分层,故判断产品分层合格。

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)。

测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。

按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。

此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用。

但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。

但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

扩展资料:

(1)元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体,其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料,容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前, 只有硅、锗性能好,运用的比较广,硒在电子照明和光电领域中应用。

硅在半导体工业中运用的多,这主要受到二氧化硅的影响,能够在器件制作上形成掩膜,能够提高半导体器件的稳定性,利于自动化工业生产。

(2)无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料,当然也有多种元素构成的半导体材料,主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族;II族与IV、V、VI、VII族;III族与V、VI族;IV族与IV、VI族。V族与VI族;

VI族与VI族的结合化合物,但受到元素的特性和制作方式的影响,不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中,InP制造的晶体管的速度比其他材料都高,主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料,主要用于LED等方面。

参考资料来源:百度百科-半导体


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/7366894.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-04
下一篇 2023-04-04

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存