AO3400-ASEMI场效应管的栅极阈值电压是多少？

AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23特性：高效mos管电性参数：5.8A 30V持续漏极电流(ID)：5.8A脉冲漏极电流(IDM)：30A漏源电压(VDS)：30V栅源电压(VGS)：±12V栅极阈值电压(VGS)：1.4V零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA工作温度：-55~+150℃引线数量：3 AO3400贴片封装系列。它的本体长度为1.7mm，加引脚长度为2.95mm，宽度为3.1mm，高度为1.3mm，脚间距为1.9mm。AO3400采用先进的沟槽工艺技术，用于超低导通电阻的高密度电池设计。

①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的，原因是，向那SI2302属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：20V//电流：2.1A，而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：30V//电流：7A//。所以前者不能代换后者。

AO3400概述

30V N沟道MOSFET

Vds 30V

Id（Vgs=10v情况下） 5.8A

Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ

Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ

Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <52mΩ

AO3400参数描述

型号：AO3400

封装：SOT-23

电性参数：5.8A 30V

漏源电压（Vds）：30v

栅源电压 (Vgs)：±12v

连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A

连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A

功率损耗（PD 25℃）：1.4W

功率损耗（PD 70℃）：0.9W

结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃

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