我认为中国的半导体行业必然会崛起,任何国家都无法阻挡中国的崛起。要想在半导体行业有所突破,我认为预计需要10年的时间。
我国一直以来都致力于芯片行业的生产和制造,但是在芯片领域方面,我们已经落后欧美国家太多地方了。归根结底,是因为我们起步时间晚于欧美国家,而且欧美国家不愿与我们进行技术分享,甚至进行了全面的技术封锁。这也直接导致了我国的芯片领域方面存在很多技术性短板,在短时间之内还是无法实现超越。
被卡了脖子的中国半导体行业会崛起吗?至于中国的半导体行业是否会崛起,我的答案是肯定的。但是要想在一两年之内恢复,关键是不太可能的。一起来美国等西方国家总是制裁我国,尤其是喜欢在芯片领域方面。当然这也是美国等西方国家一贯的做法,芯片也是我们为数不多的短板之一。因此,我国的芯片以及半导体行业的发展已经被欧美国家卡脖子。
预计10年之内可以实现。至于中国半导体行业何时能够崛起,我认为时间需要在10年之内。因为我们与西方欧美国家的技术差距,相差整整10年左右。不过这也是由于当前现状所决定的,一方面我国没有先进的人才,另一方面也是没有更加高端的精密仪器。无论是哪一方面,我们都存在很多的缺陷。因此我国也正在不断的努力,改善我国芯片方面的不足,也正在进一步缩小双方之间的差距。
中国芯片已经取得了很大的进步。其实中国的芯片在很短的时间之内已经取得了很大的进步,即使与欧美国家仍然具有一定的差距。但是要相比较,上个世纪而言,我国的芯片产业在很短的时间之内有了很大的突破。这在西方欧美国家看来完全是一个奇迹,因为从无到有,一直以来都是中国的做法。
1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年,我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年,我国功率半导体分立器件产量4885亿,较2019年增长8%。2020年,我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元,较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出,需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管,其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴,而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中,MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点,MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一,占2019年市场规模的36.3%,其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管,市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单,工作可靠。基于产品本身的特点和优势,功率分立器件市场中,MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展,MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元,年复合增长率约为9.2%。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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