国产芯片再传好消息，打破西方垄断，已掌握3个关键制造环节

国外掌握大量的芯片制造技术，在芯片制造领域，很多顶级的设备，材料都需要从国外进口。因为对国外有非常大的芯片依赖，导致我国每年的芯片进口额都在3000亿美元以上。

去年美国对中国企业实施芯片规则，导致中国企业失去了采购芯片，代工芯片的渠道。被芯片卡脖子以后，中国也在加紧自研，尽全力攻克一系列的技术。

有众多优秀的中国半导体企业参与其中，国产芯片也再传好消息，成功掌握3个关键制造环节技术，打破西方垄断。

第一项技术：离子注入机

和光刻机一样，离子注入机也是芯片制造过程中必不可少的核心设备之一。通过离子注入机可以实现对半导体材料，集成电路的离子注入，从而完成对半导体金属材料的改性及制膜等等。

而中国在离子注入机就取得了相应的突破，由中国电科旗下的附属装备集团，成功打造出离子注入机的全谱系产品国产化，可实现对28nm工艺的覆盖。

中国对应的芯片制造环节缺陷，也被弥补。

第二项技术：刻蚀机

中国刻蚀机巨头中微半导体取得了关键突破。在过去的几十年中，中微公司从默默无闻的小企业，成为全球五大刻蚀机设备供应商之一。

在台积电的5nm生产线中，就采用了中微半导体的12英寸高端刻蚀机设备。另外中微半导体取得的关键突破在于3nm刻蚀机Alpha 原型机，这一设备已经实现从设计到测试一系列的开发，评估。

刻蚀机的作用在于，通过纳米级别的技术，在集成电路硅片上实现晶体管线路图的雕刻。到了高端刻蚀机级别，能够在上千层的集成电路中完成刻蚀任务。

如果把芯片比作大楼，那么刻蚀机的任务就是在几百，几千层的大楼中，完成每一个楼层的精装修。

精确程度要实现每一楼层的微小复刻，把设计图纸上的所有细节，都完美刻蚀出来。如此复杂的刻蚀机设备，对芯片制造的作用性不亚于光刻机。

第三项技术：光刻胶

芯片制造涉及到非常多的工艺，步骤。在正式进入到芯片制造之前，需要在硅片上涂抹光刻胶。通过光刻胶的作用，让硅片保持完整，并确保每一个晶体管，集成电路都能得到保护。

这样在后续的刻蚀，离子注入过程中，都能顺利进行。品质越是高端的光刻胶，效果就越好。日本占据全球光刻胶的主要市场，并达到了垄断水准。

中国光刻胶企业不负众望，以南大光电为代表，成功实现Arf光刻胶产品的客户验证。并实现小批量出售。

不只是南大光电，此前晶瑞股份曾花费七千多万人民币购买了一台ASML光刻机，虽然是二手的，但是对研发28nm高端光刻胶也有重大意义。

另外上海新阳采购的ASML光刻机也有多台进入到生产线，对参与国产高端光刻胶的研发都是有巨大帮助的。

中国芯片在离子注入机、刻蚀机、光刻胶这三大芯片制造环节技术中，都取得了相应的突破进展。有研究报告显示，中国将在近两年内实现28nm芯片的自给自足。有能力应对中低端成熟工艺芯片的自主研发，生产。

国产芯片正在逐步打破西方国家的垄断，在实现技术自主可控这一方面，中国企业持之以恒，势必能助力中国芯片的崛起。3个关键芯片制造环节或许只是冰山一角，还有更多的技术，产品及设备都在研制当中。

中国会掌握更多的芯片制造技术，光刻机、芯片制程等等，都难不住中国半导体。相信只要有足够的时间，再大的困难都能一一克服。

对此，你有什么看法呢？

近日，南大光电发布公告称，其承担的国家02专项ArF光刻胶项目取得重大进展，并且通过了专家组验收。目前已建成年产25吨的ArF光刻胶产业基地，可用于90nm-14nm，甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。

众所周知，光刻胶是芯片制造不可或缺的重要原料，是光刻机进行硅膜片曝光、设计图案印章的核心材料。ArF 光刻胶材料主要应用于高端芯片制造，目前我国在ArF、KrF光刻胶领域中的市场占比较少，全球大多数的光刻胶市场都被美国、日本垄断。

对于国产半导体行业来说，南大光电7纳米光刻胶的交付，具有十分重要的意义，一方面能够缓解我们在半导体领域中，特别是芯片代工领域中，被芯片原料卡脖子的难题；另一方面有助于加快我们在芯片代工领域中实现自给化目标的脚步。

需要注意的是，有关 7 纳米 ArF 光刻胶的应用，南大光电目前只是小规模投产，与之相关的生产线正在构建当中。在公告中，南大光电也表示，ArF 光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善。

但不管怎么说，这次南大光电完成7纳米光刻胶的验证，对于自身，对于国产半导体行业来说是一件好事情。至少可以保证我们不会在光刻胶领域中被国外彻底卡住，相信只要坚持下去，假以时日，一切难题都会迎刃而解。

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