单晶 半导体 目前，国内能拉多少纯度的单晶？9N还是11N？直径有多大？

个人回答是9N可以,但要求高点.尺寸半导体我只搞过3"4"5"6"8"12"报道有14"以上即超过350mm的,不过我没拉过

半导体单晶都要求掺杂,9N和11N一般用来标识的是原生硅多晶的纯度.非要用这个标识的话,重掺可以忽略.参B拉过上限50的,掺杂在10e-9数量级,大约8N..掺P目标100(这个有点记不清了,50左右肯定拉过,8N),掺杂数量级在10e-10,大约9N......10N意味着掺B1400以上电阻率,掺P430以上电阻率(数据有可能估算错误,仅供参考),原生多晶硅12N已经很吊了.您所要求的是拉制,就是切氏法.麻烦在于石英坩埚和热场气氛带来的影响,按照我以前的选择,坩埚应该采用GE坩埚的相应类型,低碱金属的好像是2尾号,记不清了.石墨热场要纯化过且不能PN互换,还要有其他措施防污染......按我的想法,10N切氏法纯粹实验室也许可以,工业生产估计没厂家会去干----没试过.不想找虐!!!不过区熔应该会可能性高点.

武汉半导体实验室主要设有：

1、微电子器件实验室：以研究量子点、纳米结构、复合材料等新型半导体器件为主；

2、微电子器件物理实验室：以研究微电子器件的物理特性、发光特性、性能特性等为主；

3、半导体材料实验室：以研究半导体材料的光学性质、电学性质、热学性质、机械性质等特性为主；

4、信号处理实验室：以研究半导体信号处理技术、信号处理系统设计、非线性信号处理等技术为主；

5、微机电系统实验室：以研究微机电系统设计、微机电系统技术、微机电系统性能等技术为主；

6、特种半导体实验室：以研究特种半导体技术、特种半导体性能改善等技术为主；

7、系统设计实验室：以研究微电子系统设计、数字系统设计、系统结构设计等技术为主。

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