为什么要使用半导体而不是导体

半导体的导电性能可以通过掺杂方式改变。由于导电性的不同，就可以制造各种需要的元件器件集成电路。而导体的导电性是不能改变的。

正是由于半导体的导电性能的可控性。才有了今天的电子世界。

半导体有什么好处 为什么要用半导体, 为什么要使用半导体而不是导体

半导体是介于导体与绝缘体之间的材料。但半导体有个特性是导体和绝缘体所没有的，那就是可以做成两种不同特性的基片，再把这两种基片结合到一起就可体现绝缘和导体交替的特性，如二极体反向绝缘，正向导电，三极体通过一个控制端可让其导电就导电，让其绝缘就绝缘。所以就容易成为可以控制的器件，由此制作了很多电子产品

晶片为什么要用半导体作？

矽做为半导体,可以有很多特殊的功能.在高纯的矽加些别的微量元素可以有独特的作用,比如做2J管.3J管,实际上很多硬体都是由各种电子元件构成的 ,其中不缺乏2.3J电晶体.

什么叫杂质半导体？杂质半导体有哪几种？为什么要往纯净的半导体中掺入杂质？

本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体,半导体中的杂质对电导率的影响，本征半导体掺杂后形成的P型或N型半导体，是制造积体电路，二极体电晶体的必须材料 :baike.baidu./view/1003023.?wtp=tt

导体和半导体有什么区别 半导体也能导电为什么不叫导体

导体,一般指金属,其在常温下的金属晶体结构与晶体矽等半导体是大不相同的,虽然名义上金属在非化合态的时候电子轨道最外层也有1-4个电子在围绕原子核高速旋转,看起来是受原子核严密控制的,但实际上金属晶体的结构却十分松散,金属原子之间可以滑动,这就是为什么金属有或多或少的延展性,而电子们的活动就更为自由,当有外电压的作用时,他们就会发生定向移动,形成电流.半导体晶体的内部结构相比之下就牢固得多,特别是体现在原子核对其外层电子的作用力较强,当电子离开原子核的时候,原子核对电子原来的作用力就在原先电子存在处形成了"力量真空",就是我们所说的空穴.而金属的力量相比之下小得多,当失去电子之后就不能认为出现了"力量真空”。所以，只有在描述半导体导电原理是才引入“空穴”这个概念（清华资源）

本征半导体与参杂半导体有什么不同？

本征半导体是c纯净的半导体。在本征半导体中参入微量杂质元素可提高半导体的导电能力，参杂后的半导体称为杂质半导体。根据参入杂质的不同可分为N型半导体和P型半导体。

本征半导体费米能级位于导带底和价带顶之间的中线上，导带中的自由电子和价带中的空穴均很少，因此常温下导电能力低，但在光和热的激励下导电能力增强。

n型掺杂半导体的费米能级接近导带底，导带中的自由电子数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于电子导电为主的半导体。

p型掺杂半导体的费米能级接近价带顶，价带中的空穴数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于空穴导电为主的半导体。

半导体有什么用处

半导体的导电效能介于导体和绝缘体之间，不掺杂的半导体(也叫本征半导体)的导电效能很差，但掺杂后的半导体就有一定的导电效能了，例如在Si半导体中掺杂P或者B等杂质就可以使半导体变成N型或P型半导体。N型半导体中电子是多数载流子，而P型半导体中空穴是多数载流子。

半导体制成的PN接面具有单向导电特性，但当PN接面两端加上足够大的反向电压时，PN接面会反向击穿，这时的电压叫做反向击穿电压。利用反向击穿特性，可以制成稳压二极体，利用正向特性，可以制成整流或检波二极体。

半导体的用途太多了，一句两句很难将清楚，这里就先介绍这些了。

半导体有什么用？

自然界的物质按导电能力可分为导体、绝缘体和半导体三类。半导体材料是指室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。1906年制成了碳化矽检波器。

1947年发明电晶体以后，半导体材料作为一个独立的材料领域得到了很大的发展，并成为电子工业和高技术领域中不可缺少的材料。特性和引数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。

不同型别半导体间接触（构成PN接面）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN接面的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极体、三极体、闸流体等。

此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于资讯转换。半导体材料的特性引数有禁频宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁频宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一引数。半导体材料的特性引数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。

为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体

只有纯净的本征半导体，才可能按设计者的需要制造出需要的器件。 如果有杂质，电晶体就无法实现可控的或关断。

半导体光源3——半导体激光器的结构、工作原理和工作特性

Nikki

半导体激光器的结构、工作原理和工作特性

半导体的基本概念

（1） 本征半导体的能带分布

本征半导体就是指没有任何外来杂质的理想半导体。

由于半导体本身是固体，原子排列紧密，使得电子轨道相互重叠，从而使半导体的分立能级形成了能带。

本证半导体的能带分布从上到下依次为导带、（禁带）、价带、满带。

满带：电子填充能带时，总是从能量最低的能带向上填充，能量最低的满带被电子占满不能移动，电子移动形成电流，故满带中的电子不起导电作用。

价带：可能被电子占满，也可能被占据一部分。

禁带Eg：禁止电子在此区域停留，但可以穿越此区域。由于本征半导体是一个统一的热平衡系统，我们知道，对一个物质来说，如果是一个统一的热平衡系统的话，它就有一个费米能级Ef。对本征半导体这种材料，它的费米能级处于导带和价带之间的禁带区域中。

导带：其中的电子具有导电作用（空间大，电子可以自由移动）。

（2） P型半导体和N型半导体的形成

如果向本征半导体内掺入不同杂质元素，则相当于给半导体材料提供导电的电子或空穴。

将向本征半导体材料掺入提供电子的杂质元素后而形成的半导体材料称为N型半导体，它属于电子导电型；

将向本征半导体材料掺入提供空穴的杂质元素后而形成的半导体材料称为P型半导体，它属于空穴导电型。

（3） P-N结的形成

当P型半导体和N型半导体结合在一起时，即形成P-N结。由于相互间的扩散作用，使得靠近界面的地方，N区剩下带正电的离子，P区剩下带负电的离子，在结区形成空间电荷区。

由于空间电荷区的存在，出现了一个由N指向P的电场，称为内建电场。

在内建电场的作用下，由于电子向P区移动，在结区内，使得P区的电子电位能相对于N区提高。（电子点位能越高，实际指的是越负）

作为半导体材料，我们说其有三个能带，导带、（禁带）、价带、满带。按上图所示，粉色线以上是导带，绿色线以下是价带，再往下是满带，绿色线和粉色线之间的区域是禁带。

由于内建电场的作用下， P区的电子电位高于N区，此时的P-N结是一个热平衡系统，会有一个统一的费米能级，就是图中所示的虚线，在N型半导体中，费米能级在粉色线以上，在P型半导体中，费米能级在价带中。

根据费米能级的意义，其指的是物质中粒子分布情况的一个参量，比费米能级高的导带中粒子数少，而比费米能级低的导带中粒子数多，禁带中不存在电子。由此形成了P-N结的能带分布。

但是，此时P-N结的能带分布仍然是一个正常的物质分布状态，并没有被激活使之处于粒子数的反转分布状态，所以还不能发激光。

激活：当给P-N结外加正向偏压（即P接正、N接负）后，抵消了一部分内建电场的作用，P区的空穴和N区的电子不断注入P-N结，破坏了原来的热平衡状态，在P-N结出现了两个费米能级。此时，N型半导体中的费米能级还是在导带里，而P型半导体的费米能级还是在价带以下。

此时，在P-N结中（即中间区域），导带中低于费米能级的粒子数多，而价带中高于费米能级的粒子数少。如果把P-N结作为一个统一的整体，对P-N结来说，高能级的电子数反而多，低能级的电子数反而少，处于粒子数的反转分布状态。此时的P-N结就被激活了，这时候，如果外来的光子一激发，就会出现受激辐射的过程大于受激吸收的过程，从而实现光的放大。

半导体激光器的工作原理

当P-N结外加正向偏压足够大时，将使得结区处于粒子数的反转分布状态，在外来光子的激发下，即出现受激辐射＞受激吸收→产生光的放大

被放大的光在由P-N结构成的光学谐振腔（谐振腔的两个反射镜是由半导体材料的天然解理面形成）中来回反射，不断增强，当满足阈值条件（不断放大的光要能抵消损耗，才有多余的光输出形成激光，G=α）后可发出激光。

半导体激光器的结构

用半导体材料作为激活物质的激光器，称为半导体激光器。

在半导体激光器中，从光振荡的形式上来看，主要有两种方式构成的激光器：

（1） 用天然解理面形成的F-P腔（法布里-珀罗谐振腔），称为F-P腔激光器；

F-P腔激光器从结构上又可分为：

1、 同质结半导体激光器

是一种结构最简单的半导体激光器，其核心部分是一个P-N结，由结区发出激光。它不能在室温下连续工作，只有异质结半导体激光器才能进入实用。

注：“结”是由不同的半导体材料制成的。

2、 单异质结半导体激光器

3、 双异质结半导体激光器

（2） 分布反馈型（DFB）激光器。

半导体激光器的工作特性

1、 阈值特性

对于半导体激光器来说，当外加正向电流达到某一值时，输出光功率将急剧增加，这时将产生激光振荡，这个电流值称为阈值电流，用It表示。

阈值特性可以用输入输出特性曲线进行表示。我们知道，激光器是将电信号变为光信号的器件，因此它的输入我们可以用工作电流来表示，输出可以用输出光功率来表示。

在转换过程中，当我们给半导体激光器加入电流时，这时候是可以发光的，但是这时候的光比较弱。如果我们继续增大工作电流，当增加到某一个值的时候，输出光功率会突然增加，也就是说，它有一个拐点，从发出比较弱的光到发出比较强的光中间有一个拐点，这个拐点，我们就称为阈值电流。这个阈值电流是用来衡量激光器什么时候发激光的一个电流值，如果外加正向电流小于阈值电流，这时候激光器也会发光，但是发出来的光很弱，属于荧光，只有当外加正向电流超过阈值电流，这时候激光器发出来的光才属于激光。

为了使光纤通信系统稳定可靠地工作，It越小越好。

2、 光谱特性

当I＜It，荧光，光谱宽，光强弱

当I＞It，激光，光谱窄（光谱窄，所包含的频率成分少，把这样的光注入到光纤中传输时，产生的色散就会减小，色散小了信号的失真也小，更有利于提高传输特性），光强强（信号传输可以更远）

单模激光器

发出的激光是单纵模，它所对应的的谱线只有一根谱线。

多模激光器

发出的集光是多纵模，对应的是多谱线。

根据谐振频率的公式 ，q取一个值的时候对应的频率称为单纵模，而多纵模是会同时发出多个q对应的频率，很显然单模激光器的特性会比多模好。

单模激光器与多模激光器的输出光谱图

一般，在观测激光器光谱特性时，光谱曲线最高点所对应的波长为中心波长，而比最高点功率低3dB时曲线上的宽度为谱线宽度。

3、 温度特性

激光器的阈值电流和光输出功率随温度变化的特性为温度特性。

当温度增加时，阈值电流增加，输出光功率下降

当温度降低时，阈值电流下降，输出光功率上升

为了使光纤通信系统稳定、可靠地工作，一般都要采用各种自动温度控制电路来稳定激光器的阈值电流和输出光功率。

同时，随着使用时间的增加，阈值电流也会逐渐增大。

4、 转换效率

半导体激光器是把电功率直接转换成光功率的器件。

衡量转换效率的高低常用功率转换效率来表示：

功率转换效率 定义为：输出光功率与消耗的电功率之比。

其中，R——是与激光器的内部量子效率、激光波长和模式损耗有关的常数

V——是工作电压

——是阈值电流

I——是工作电流

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